| 主权项 |
1.一种具有双层结构的衰减式相位移光罩的制造方法,适用于依序具有基板、第一图形层及第二图形层的光罩,且上述制造方法包括下列步骤:于上述第二图形层上形成遮蔽层;于上述遮蔽层界定出第一图形及第二图形,且上述第一图形深至上述第二图形层,而上述第二图形较上述第一图形浅,同时上述第一图形与上述第二图形之间形成缓冲间隔;经由上述第一图形对上述第二图形层进行第一蚀刻至上述第一图形层;经由上述第一图形对上述第一图形层进行第二蚀刻至上述基板;经由上述第二图形对上述遮蔽层进行第三蚀刻至上述第二图形层,同时去除上述缓冲间隔;以及以上述遮蔽层为罩幕,对上述第二图形层进行第四蚀刻至上述第一图形层。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述缓冲间隔的大小为500埃至1500埃。3.如申请专利范围第1或2项所述之制造方法,其中更包括去除上述遮蔽层的步骤。4.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中上述遮蔽层为光阻层。5.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中上述光阻层为压克力聚合物。6.如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中于上述遮蔽层界定出上述第一图形的方法为利用电子束进行直接书写,而所用剂量为8-11C/cm2,且于上述遮蔽层界定出上述第二图形的方法为利用电子束进行直接书写,而所用剂量为2-4C/cm2。7.如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中上述基板、第一图形层及第二图形层分别为质石英、MoSiON及铬。8.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中对上述光阻层的上述第一图形以及第二图形之显影的方法系以上甲醚乙二醇及甲乙酮之混合溶液进行之。9.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中上述第一蚀刻为湿蚀刻,而以氯酸及硝酸铵铈的混合溶液为湿蚀刻液。10.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中上述第二蚀刻为乾蚀刻,而以CF4及氧气的混合气体为蚀刻气体,且射频功率为100W。11.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中上述第三蚀刻为乾蚀刻,而以氧气为蚀刻气体,且射频功率为40W。12.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中上述第四蚀刻为湿蚀刻,而以氯酸及硝酸铵铈的混合溶液为湿蚀刻液。13.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中对上述遮蔽层系以硫酸及过氧化氢之混合溶液进行去除。图式简单说明:第一图(a)至(c)系显示习知典型光罩的构造、曝光原理以及曝光能力;第二图(a)系显示在图形边缘制作如放大图所示之次解析度(sub resolution)接触窗阵列,以挡住光源之穿透的视图;第二图(b)系显示习知相位移式光罩的构造、曝光原理以及曝光能力的视图;第三图(a)至(g)系显示习知具有双层结构的衰减式相位移光罩之第一例之结构、形状以及其制程的平面图及剖面图;第四图系显示第三图所示之衰减式相位移光罩应用于晶圆制程时相邻之晶片边缘的重覆曝光情形的示意图;第五图(a)至(j)系显示习知具有双层结构的衰减式相位移光罩是第二例之结构、形状以及其制程的平面图及剖面图;以及第六图(a)至(i)系显示依据本发明之具有双层结构的衰减式相位移光罩之结构、形状以及其制程的平面图及剖面图。 |
