| 主权项 |
1.一种矽晶圆之制造方法,包含至少使矽晶圆受到非本徵聚集之步骤和使矽晶圆受到在一还原气体中之热处理之步骤。2.如申请专利范围第1项之矽晶圆之制造方法,其中使矽晶圆受到在还原气体中之热处理之步骤乃在使矽晶圆受到非本徵聚集之步骤后执行。3.如申请专利范围第1项之矽晶圆之制造方法,其中非本徵聚集乃依照多晶矽背密法执行(Poly-silicon Back Seal method)。4.如申请专利范围第2项之矽晶圆之制造方法,其中非本徵聚集乃依照多晶矽背密法执行(Poly-silicon Back Seal method)。5.如申请专利范围第1项之矽晶圆之制造方法,其中在还原气体中之热处理乃以快速热退火器执行。6.如申请专利范围第2项之矽晶圆之制造方法,其中在还原气体中之热处理乃以快速热退火器执行。7.如申请专利范围第3项之矽晶圆之制造方法,其中在还原气体中之热处理乃以快速热退火器执行。8.如申请专利范围第4项之矽晶圆之制造方法,其中在还原气体中之热处理乃以快速热退火器执行。9.如申请专利范围第1项之矽晶圆之制造方法,其中在还原气体中之热处理乃在100%氢气或氢气和惰性气体之混合气体中以1150至1350℃执行1至300秒。10.如申请专利范围第2项之矽晶圆之制造方法,其中在还原气体中之热处理乃在100%氢气或氢气和惰性气体之混合气体中以1150至1350℃执行1至300秒。11.如申请专利范围第3项之矽晶圆之制造方法,其中在还原气体中之热处理乃在100%氢气或氢气和惰性气体之混合气体中以1150至1350℃执行1至300秒。12.如申请专利范围第4项之矽晶圆之制造方法,其中在还原气体中之热处理乃在100%氢气或氢气和惰性气体之混合气体中以1150至1350℃执行1至300秒。13.如申请专利范围第5项之矽晶圆之制造方法,其中在还原气体中之热处理乃在100%氢气或氢气和惰性气体之混合气体中以1150至1350℃执行1至300秒。14.如申请专利范围第6项之矽晶圆之制造方法,其中在还原气体中之热处理乃在100%氢气或氢气和惰性气体之混合气体中以1150至1350℃执行1至300秒。15.如申请专利范围第7项之矽晶圆之制造方法,其中在还原气体中之热处理乃在100%氢气或氢气和惰性气体之混合气体中以1150至1350℃执行1至300秒。l6.如申请专利范围第8项之矽晶圆之制造方法,其中在还原气体中之热处理乃在100%氢气或氢气和惰性气体之混合气体中以1150至1350℃执行1至300秒。17.一种矽晶圆,其以如申请专利范围第1项之矽晶圆之制造方法制造。18.一种矽晶圆,其中在晶圆之前表面上之COP密度为0.16个/cm2,在晶圆之容积中之容积缺陷密度为1109个/cm3或更少,和具有0.5m或更多厚度之多晶矽层存在于晶圆之背面中。图式简单说明:第一图为介于还原热处理温度和容积缺陷密度间之关系图;第二图为使用以执行PBS和有或无执行RTA而产生之矽晶圆以制造之MOS电容器之氧化介电崩溃电压之量测结果图;第三图为在以有或无执行PBS而产生之矽晶圆中,在RTA热处理后之滑动偏置产生之图;和第四图为RTA之示意截面图。 |
