发明名称 半导体加工炉加热次总成
摘要 一垂直座向的热加工装置系用来加工被保持在一加工室内成批量的半导体晶圆。该加工室系被容置在一加工用容器内。一炉衬以间隔关系包围该加工用容器。一泠却流体流路系被供应在该炉衬和炉加热器内壁之间。所述泠却流体流路系出现在通过于形成为炉加热用包封之一部分的端区段和基区段。所述端区段和基区段具有内部的通道来与一歧管室相连通。该歧管室系有利地被数个用来反射辐射热能的屏障所分隔成内部室和外部室。所述内部和外部歧管室系由数个形成在该等屏障之间的歧管连接用通道所相连。
申请公布号 TW417139 申请公布日期 2001.01.01
申请号 TW087105537 申请日期 1998.04.13
申请人 薛米屠尔公司;MRL工业公司 发明人 劳伯A.维佛;威廉D.麦考英泰尔;克文B.帕克
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 林镒珠 台北市长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种热加工装置,供处理复数个被规划设计成一加工阵列的半导体元件,所述热加工装置包括有:一框架;一炉加热用包封,被安装在该框架上并具有至少一个炉包封壁和一炉室在其内;一炉包封区段,其形成为该炉加热用包封的一部分,此炉包封区段包括有:至少一个内部通道,其与该炉室成流体连通;至少一个歧管室被界定在该炉包封区段内,此至少一个歧管室系与该至少一个内部通道成流体连通;至少一个外部通道,其与该至少一个歧管室成流体连通并连通该炉加热用包封之外侧的冷却流体;其中冷却流体可沿着一条回旋的路径而连通于该炉室和该炉加热用包封的外侧之间,以使得从该炉室内经由该至少一个外部通道而发出的辐射能量系被该炉加热用包封所反射。2.如申请专利范围第1项所述热加工装置,其中该至少一个内部通道系包含有复数个内部的通道。3.如申请专利范围第1项所述热加工装置,其中:该至少一个内部通道系包含有复数个内部的通道;该至少一个外部通道系包含有复数个外部的通道。4.如申请专利范围第1项所述热加工装置,进而包括有至少一个屏障被设置在靠近于该内部的通道,以便从其上反射辐射能量。5.如申请专利范围第1项所述热加工装置,其中该至少一个歧管室系包含有一内部的歧管室,其与该至少一个内部通道成流体连通。6.如申请专利范围第1项所述热加工装置,其中该至少一个歧管室系包含有:一内部的歧管室,其与该至少一个内部通道成流体连通;一外部的歧管室,其与该至少一个外部通道成流体连通。7.如申请专利范围第1项所述热加工装置,其中该至少一个内部通道系包含有复数个内部的通道,以及该至少一个歧管室系包含有:一内部的歧管室,其与复数个该内部的通道成流体连通;一外部的歧管室,其与该至少一个外部通道成流体连通;复数个歧管连接用通道延伸在该内部歧管室和该外部歧管室之间。8.如申请专利范围第1项所述热加工装置,其中该至少一个内部通道系包含有复数个内部的通道,以及该至少一个歧管室系包含有:一内部的歧管室,其与复数个该内部的通道成流体连通;一外部的歧管室,其与该至少一个外部通道成流体连通;复数个歧管连接用通道延伸在该内部歧管室和该外部歧管室之间;复数个屏障被设置成来从其上反射辐射能量。9.如申请专利范围第1项所述热加工装置,其中该至少一个内部通道系包含有复数个内部的通道,以及该至少一个歧管室系包含有:一内部的歧管室,其与复数个该内部的通道成流体连通;一外部的歧管室,其与该至少一个外部通道成流体连通;复数个歧管连接用通道延伸在该内部歧管室和该外部歧管室之间;复数个屏障被设置成靠近于复数个该内部的通道,以便从其上反射辐射能量。10.一种热加工装置,供处理复数个被规划设计成一加工阵列的半导体元件,所述热加工装置包括有:一框架;一炉加热用包封,被安装在该框架上并具有至少一个炉包封壁和一炉室在其内;该炉加热用包封具有一端区段和一基区段形成为该炉加热用包封的一部分,该端区段和该基区段各具有:至少一个内部通道,其与该炉室成流体连通;至少一个歧管室被界定在该炉包封区段内,此至少一个歧管室系与该至少一个内部通道成流体连通;至少一个外部通道,其与该至少一个歧管室成流体连通并连通该炉加热用包封之外侧的冷却流体;藉此,冷却流体可沿着一条回旋的路径,经由该等端区段和基区段之一者,而连通于该炉加热用包封的外侧和该炉加热用包封的内侧之间,以使得从该炉室内经由该至少一个外部通道而发出的辐射能量系被该炉加热用包封所反射;以及藉此,冷却流体可沿着一条回旋的路径,经由该等端区段和基区段之另一者,而连通于该炉加热用包封的内侧和该炉加热用包封的外侧之间,以使得从该炉室内经由该至少一个外部通道而发出的辐射能量系被该炉加热用包封所反射。11.一种热加工装置,供处理复数个被规划设计成一加工阵列的半导体元件,所述热加工装置包括有:一框架;一炉加热用包封,被安装在该框架上并具有至少一个炉包封壁和一炉室在其内;一炉衬,其与该炉包封壁之一内部表面间隔开;一端区段,其形成为该炉加热用包封的一部分;一基区段,其形成为该炉加热用包封的一部分;一冷却流体路径,其形成在该端区段和该基区段之间,以及在该炉衬和该炉包封壁的内部表面之间;该端区段和该基区段各具有:至少一个内部通道,其与该炉室成流体连通;至少一个歧管室被界定在该炉包封区段内,此至少一个歧管室系与该至少一个内部通道成流体连通;至少一个外部通道,其与该至少一个歧管室成流体连通并连通该炉加热用包封之外侧的冷却流体;藉此,冷却流体可连通于该端区段、该冷却流体路径、以及该基区段,以便从热加工装置移走热能,其中流经过该等端区段和基区段的冷却流体系沿着一条回旋的路径,以使得从该炉室内经由该至少一个内部通道而发出的辐射能量系被该炉加热用包封所反射。12.如申请专利范围第10项所述热加工装置,其中该至少一个内部通道系包含有复数个内部的通道。13.如申请专利范围第10项所述热加工装置,其中:该至少一个内部通道系包含有复数个内部的通道;该至少一个外部通道系包含有复数个外部的通道。14.如申请专利范围第10项所述热加工装置,进而包括有至少一个屏障被设置在靠近于该至少一个内部通道,以便从其上反射辐射能量。15.如申请专利范围第10项所述热加工装置,其中该至少一个歧管室系包含有一内部的歧管室,其与该至少一个内部通道成流体连通。16.如申请专利范围第10项所述热加工装置,其中该至少一个歧管室系包含有:一内部的歧管室,其与该至少一个内部通道成流体连通;一外部的歧管室,其与该至少一个外部通道成流体连通。17.如申请专利范围第10项所述热加工装置,其中该至少一个内部通道系包含有复数个内部的通道,以及该至少一个歧管室系包含有:一内部的歧管室,其与复数个该内部的通道成流体连通;一外部的歧管室,其与该至少一个外部通道成流体连通;复数个歧管连接用通道延伸在该内部歧管室和该外部歧管室之间。18.如申请专利范围第10项所述热加工装置,其中该至少一个内部通道系包含有复数个内部的通道,以及该至少一个歧管室系包含有:一内部的歧管室,其与复数个该内部的通道成流体连通;一外部的歧管室,其与该至少一个外部通道成流体连通;复数个歧管连接用通道延伸在该内部歧管室和该外部歧管室之间;复数个屏障被设置成来从其上反射辐射能量。19.如申请专利范围第10项所述热加工装置,其中该至少一个内部通道系包含有复数个内部的通道,以及该至少一个歧管室系包含有:一内部的歧管室,其与复数个该内部的通道成流体连通;一外部的歧管室,其与该至少一个外部通道成流体连通;复数个歧管连接用通道延伸在该内部歧管室和该外部歧管室之间;复数个屏障被设置成靠近于复数个该内部的通道,以便从其上反射辐射能量。20.如申请专利范围第11项所述热加工装置,其中该至少一个内部通道系包含有复数个内部的通道。21.如申请专利范围第11项所述热加工装置,其中:该至少一个内部通道系包含有复数个内部的通道;该至少一个外部通道系包含有复数个外部的通道。22.如申请专利范围第11项所述热加工装置,进而包括有至少一个屏障被设置在靠近于该至少一个内部通道,以便从其上反射辐射能量。23.如申请专利范围第11项所述热加工装置,其中该至少一个歧管室系包含有一内部的歧管室,其与该至少一个内部通道成流体连通。24.如申请专利范围第11项所述热加工装置,其中该至少一个歧管室系包含有:一内部的歧管室,其与该至少一个内部通道成流体连通;一外部的歧管室,其与该至少一个外部通道成流体连通。25.如申请专利范围第11项所述热加工装置,其中该至少一个内部通道系包含有复数个内部的通道,以及该至少一个歧管室系包含有:一内部的歧管室,其与复数个该内部的通道成流体连通;一外部的歧管室,其与该至少一个外部通道成流体连通;复数个歧管连接用通道延伸在该内部歧管室和该外部歧管室之间。26.如申请专利范围第11项所述热加工装置,其中该至少一个内部通道系包含有复数个内部的通道;以及该至少一个歧管室系包含有:一内部的歧管室,其与复数个该内部的通道成流体连通;一外部的歧管室,其与该至少一个外部通道成流体连通;复数个歧管连接用通道延伸在该内部歧管室和该外部歧管室之间;复数个屏障被设置成来从其上反射辐射能量。27.如申请专利范围第11项所述热加工装置,其中该至少一个内部通道系包含有复数个内部的通道,以及该至少一个歧管室系包含有:一内部的歧管室,其与复数个该内部的通道成流体连通;一外部的歧管室,其与该至少一个外部通道成流体连通;复数个歧管连接用通道延伸在该内部歧管室和该外部歧管室之间;复数个屏障被设置成靠近于复数个该内部的通道,以便从其上反射辐射能量。图式简单说明:第一图为依据本发明一较佳垂直式热加工装置的立体视图;第二图为一显示出第一图中热加工装置的立体视图,其中某些部位予以断开并移除以便可看到系统的内部构件;第三图为一剖面视图,显示出形成为第一图热加工装置之一部分的炉加热器总成部的上部;第四图为一剖面视图,显示出形成为第一图热加工装置之一部分的炉加热器总成部的下部,此图与第三图组合完成所述炉加热器总成部;第五图为构成第三图和第四图中所示炉加热器总成部之加热用包封次总成之顶部的平面视图;第六图为第五图中所示加热用包封次总成之顶部的底视图;第七图为沿第五图中线7-7所取该加热用包封次总成之顶部的剖面视图;第八图为该加热用包封次总成之底部的底视图;第九图为沿第八图中线9-9所取的剖面视图;第十图为一放大局部剖面视图,显示出第四图中所示基板总成和支座总成的一部分;第十图A为取自第十图中圈示区域的一放大细部剖面视图;第十一图为形成第十图中所示基板总成之一部分的基板支撑部的顶视图;第十二图为第十一图中所示基板支撑部的底视图;第十三图为沿第十一图中线13-13所取的放大剖面视图;第十四图为沿第十二图中线14-14所取的放大局部剖面视图;第十五图为沿第十一图中线15-15所取的放大局部剖面视图;第十六图为第十图中所示一空气分布碟的放大平面图;第十七图为沿第十二图中线17-17所取的剖面视图,第十七图的切割平面亦显示在第十六图中,就有关如何切割过该空气分布碟的部分;第十八图为第十六图中所示空气分布碟的底视图;第十九图为第十图中所示基板总成之一部分的立体视图;第二十图为第十图中所示外流内衬层的立体视图;第二十一图为第十图中所示挡板阵列的分解立体视图;第二十二图为第十图中所示支座总成的放大立体视图;第二十三图为一方块图,示出第一图中热加工装置所使用的较佳炉控制系统;第二十四图为第一图中热加工装置所使用的较佳炉电力控制器之方块图;第二十五图为一方块图,示出第二十四图中电力控制器所使用的电力切换线路;第二十六图为一触发电路方块图,示出第二十四图中电力控制器所使用的触发线路;第二十七图为一时脉产生器方块图,示出第二十四图中电力控制器所使用的时脉产生器线路;第二十八图为一电力量测电路方块图,示出第二十四图中电力控制器所使用的电力量测线路;第二十九图为一类比/数位转换器方块图,示出第二十四图中电力控制器所使用的积分充电平衡转换器线路;第三十图为一方块图,示出一般的控制器和与第一图中热加工装置之构件的功能性关系;以及第三十一图为使用于第十图中所示外流冷却器的较佳外流管路配置。
地址 美国