| 主权项 |
1.一种用于积体电路的金属化系统,包含:一基板;一置于基板上的绝缘层;复数个电导体,一部份的电导体系置于一层绝缘层上,而其他部份的导体系陷入绝缘层的表面部份。2.如申请专利范围第1项之金属化系统,其中首次提及之层上的导体之一系邻接于陷入部份绝缘层表面的导体之一。3.如申请专利范围第1项之金属化系统,其中各导体具有部份穿经绝缘层。4.如申请专利范围第3项之金属化系统,其中复数个导体系相互平行。5.如申请专利范围第4项之金属化系统,其中首次提及的部份复数个导体具有绝缘层上表面置于其上的下表面部份以及其中陷入部份绝缘层表面中的导体具有沿着绝缘层上表面排列的上表面部份。6.如申请专利范围第5项之金属化系统,其中该基板系半导体基板。7.如申请专利范围第5项之金属化系统,其中该基板系为金属化层。8.一种用于形成金属化系统的方法,包含:提供一基板;形成一绝缘层于该基板表面;形成复数个通路孔于绝缘层表面中,该孔洞穿经绝缘层;形成凹陷于绝缘层表面中,该凹陷终止于穿经绝缘层的部份复数个通路孔中;沈积一金属化层于绝缘层表面,部份的金属化层穿经通路孔,部份的金属化层置于凹陷中且部份的金属化层置于绝缘层表面;将该金属化层刻划成复数个导体,部份的导体置于一层绝缘层上且另一部份的导体置于凹陷上。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该基板系为半导体基板。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该基板系为金属化层。图式简单说明:第一图A-第一图F系根据习知技术之半导体金属化系统的示意横截面图;第二图A-第二图G系根据习知技术之半导体金属化系统的示意横截面图;第三图A-第三图H系根据本发明之半导体金属化系统的示意横截面图;第四图系部份的第三图H的示意图。 |
