| 主权项 |
1.一种接触窗蚀刻方法,系将位于一第一导电层与一第二导电层之间的一隔绝层,蚀刻出连接该第一导电层与该第二导电层用的接触窗,其特征在于:依序利用等向性电浆乾蚀刻,等向性化学品湿蚀刻与异向性电浆乾蚀刻,蚀刻出该接触窗,其中该等向性电浆乾蚀刻会将该第一导电层上方的该隔绝层蚀刻出具尖角的圆形凹洞来,该等向性化学品湿蚀刻会将该圆形凹洞的尖角蚀刻掉,并降低下降的坡度大小,而该异向性电浆乾蚀刻将该圆形凹洞底下的隔绝层蚀刻掉,贯穿到底下的该第一导电层,蚀刻出供该第一导电层与该第二导电层连接用的该接触窗,接着利用一导电材料,来填满该接触窗,并形成该第二导电层。2.如申请专利范围第1项所述之接触窗蚀刻方法,其中该等向性化学品湿蚀刻包含使用氢氟酸与氟化氨混合蚀刻剂的蚀刻处理。3.如申请专利范围第1项所述之接触窗蚀刻方法,如果为第一层接触窗(最底层),其中该第一导电层10为多晶矽或矽底材,第二层导电层为金属层。4.如申请专利范围第1项所述之接触窗蚀刻方法,如果为第二层以后的接触窗(非最底层)其中该第一导电层10为导电金属,第二层导电层为金属层。图式简单说明:第一图显示第一种习用接触窗蚀刻技术的接触窗示意图。第二图显示第二种习用接触窗蚀刻技术的接触窗示意图。第三图显示依据本发明实施例的接触窗示意图。第四图显示依据本发明实施例的接触窗SEM图。 |
