| 主权项 |
1.一种可控制边缘气体流量之旋转式蚀刻机构,主 要设有一可旋转的载座,其内部设有之传输管,用 以引导氮气流至载座顶面,而载座上设有复数支晶 圆固定栓,呈等角度分布于载座圆围内缘,用以夹 固于晶圆外缘,其特征在于:该载座边缘处增设一 通路以分流氮气,并受一控制阀控制,进而控制载 座与晶圆间之氮气层中氮气流至晶圆边缘的流量, 藉此使化学液渗入晶圆正面的蚀刻距离能被有效 的控制,且不会影响到晶圆正面的图案。2.如申请 专利范围第1项所述之可控制边缘气体流量之旋转 式蚀机构,其系用于清洗晶圆。3.如申请专利范围 第1项所述之可控制边缘气体流量之旋转式蚀刻机 构,其系用于蚀刻晶圆。4.如申请专利范围第1项所 述之可控制边缘气体流量之旋转式蚀刻机构,该化 学液可为去离子水、氢氟酸、氟化铵、硝酸、磷 酸等之溶液或混合液。5.如申请专利范围第1项所 述可控制边缘气体流量之旋转式蚀刻机构,可用于 蚀刻铜、铝、二氧化矽、多晶矽、氮化矽等材质 。图式简单说明: 第一图(a)为CMP前的晶圆示意图; 第一图(b)为CMP后的晶圆示意图; 第一图(c)为习用技术晶边蚀刻后晶图示意图; 第一图(d)为本创作晶边蚀刻后晶图示意图; 第二图为习用旋转式蚀刻机构之示意图; 第三图(a)为习用旋转式蚀刻机构之局部放大之示 意图; 第三图(b)为因氮气不均匀往外吹使晶圆正面的边 缘蚀刻成为不规则状之示意图; 第四图为本创作之结构示意图。 |
