发明名称 磁阻式读写头读取放大器
摘要 依照本发明,一磁阻式读写头读取放大器(50,100)被提供,其可被并入一磁性读写头内以读取以磁方式被储存在储存媒体上之资讯。本发明之磁阻式读写头读取放大器(50,100)在读写头读取放大器电路(100)之底部电流排极纳有感应器,其减少或消除该读写头读取放大器电路(100)之底部电流源极电晶体所产生之杂讯。依照本发明之一第一实施例,磁阻式读写头读取放大器(50,100)为一单一极性读写头读取放大器电路(50),其运用具有一特殊极性之偏压电流,依照本发明之一第二实施例,磁阻式读写头读取放大器(50,100)为一双极性读写头读取放大器电路(100),能以具有相反极性之偏压电流操作。本发明之此二实施例较佳地运用一共同模态回馈电路与一差别的回馈电路,其设定该等读写头读取放大器之作业点。该差别的回馈电路使磁阻式读写头读取放大器(50,100)之差别输出电压变为O,且该共同模态回馈电路为磁电阻器(53,102)设定最小的偏压电流。在双极性之读写头读取放大器电路(100)中,切换逻辑(105,106)被运用以促成偏压电流之极性被选择。
申请公布号 TW417100 申请公布日期 2001.01.01
申请号 TW088101997 申请日期 1999.02.09
申请人 安捷伦科技公司 发明人 布莱德雷K.大卫斯;罗伯特M.希伦;麦克C.艾林
分类号 G11B5/02;G11B5/03;G11B5/09 主分类号 G11B5/02
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种磁性读/写系统(1)之读写头读取放大器电路( 50),该读写头读取放大器电路(50)包含: 一磁电阻器(53)具有一第一接头与一第二接头,该 磁电阻器(53)感应在磁性储存媒体(2)之一表面上的 磁通变化,并在回应于磁通变化下产生该磁电阻器 (53)之电阻变化; 一偏压电流来源(93)用于为该磁电阻器(53)产生一 偏压电流,该偏压电流来源(93)具有一输出接头被 耦合于该磁电阻器(53)之第一接头,以让该偏压电 流通过该磁电阻器(53); 一差别的回馈电路(64,77,78)被耦合于该读写头读取 放大器电路(50)之第一(67)与第二(68)输出接头,该差 别的回馈电路(64,77,78)接收在读写头读取放大器电 路(50)之输出接头所产生之差别的输出电压并使任 何低频率之差别的输出电压变为0,该差别的回馈 电路(64,77,78)之输出被耦合于该磁电阻器(53)之该 第一接头; 一共同模态回馈电路(85,87,89)被耦合于该读写头读 取放大器电路(50)之输出接头,该共同模态回馈电 路(85,87,89)为该磁电阻器(53)设定一最小偏压电流, 该共同模态回馈电路(85,87,89)经由一电流来源电晶 体(81)被耦合于该磁电阻器(53)之第二接头;以及 一电流排极包含该电流来源电晶体(81)与一感应器 (83),该电流来源电晶体(81)具有一第一接头,该共同 模态回馈电路(85,87,89)被耦合于该电流来源电晶体 (81)之该第一接头,该电流来源电晶体(81)具有一第 二接头被耦合于该磁电阻器(53)之该第二接头,该 电流来源电晶体(81)具有一第三接头被耦合于该感 应器(83)之一第一接头,该感应器(83)具有一第二接 头被耦合于接地,其中该感应器(83)之阻抗减少该 电流来源电晶体(81)所产生之任何杂讯。2.如申请 专利范围第1项所述之读写头读取放大器电路(50), 其中该共同模态回馈电路(85,87,91)包含一第一栅地 -阴地放大电路(55,62)与一第二栅地-阴地放大电路( 57,63),该等第一与第二栅地-阴地放大电路每一个 包含数个电晶体以串联被连接,该第一栅地-阴地 放大电路(55,62)具有一第一接头被耦合于该读写头 读取放大器(55,62)具有一第二接头被耦合于该磁电 阻器(53)之第一接头,该第二栅地-阴地放大电路(57, 63)具有一第一接头被耦合于该读写头读取放大器 电路(50)之第二输出接头(68),该第二栅地-阴地放大 电路(57,63)具有一第二接头被耦合于该磁电阻器(53 )之第二接头,且其中该差别的回馈电路(64,77,78)包 含一增益级(64),其放大该差别的输出电压,一电压 对电流转换器级(77),其将放大后之差别的输出电 压转换成一电流信号,及一电容器(78)其整合该电 流信号。其中该电容器(78)被耦合于该第一栅地- 阴地放大电路(55,62)用于接通该第一栅地-阴地放 大电路(55,62)。3.如申请专利范围第2项所述之读写 头读取放大器电路(50),其中该共同模态回馈电路( 85,87,91)包含一第二放大器(91),该共同模态放大器 具有一第一接头经由一感应电阻器(85,87)被耦合于 该读写头读取放大器电路之输出接头间,与一第二 接头被耦合于一共同模态基准电压(89),该共同模 态放大器(91)具有一输出接头被耦合于该电流来源 电晶体(81)之第一接头,该电流来源电晶体(81)之第 一接头为该电流来源电晶体(81)之闸。4.一种双极 性读写头读取放大器电路(100),能以具有一第一极 性或一第二极性使该读写头读取放大器电路(100) 之一磁电阻器(102)偏压,该等第一与第二极性为彼 此相反的,该读写头读取放大器电路(100)包含: 该磁电阻器(102),该磁电阻器(102)具有一第一接头 与一第二接头,该磁电阻器(102)感应在一磁性储存 媒体(2)之表面上的磁通变化并在回应于磁通之变 化产生该磁电阻器(102)之电阻变化; 一第一偏压电流来源(114)用于为该磁电阻器(102)产 生一第一偏压电流,该第一偏压电流来源(114)具有 该第一极性,该第一偏压电流来源(114)具有一输出 接头经由切换逻辑(105,106)被耦合于该磁电阻器(102 )之第一接头。用于在该切换逻辑(105,106)为在一第 一状态时传送该第一偏压电流通过该磁电阻器(102 );以及 一第二偏压电流来源(116)用于为该磁电阻器(102)产 生一第二偏压电流,该第二偏压电流来源(116)具有 该第二极性,该第二偏压电流来源(116)具有一输出 接头经由切换逻辑(105,106)被耦合于该磁电阻器(102 )之第二接头,用于在该切换逻辑(105,106)为在一第 二状态时传送该第二偏压电流通过该磁电阻器(102 )。5.如申请专利范围第4项所述之双极性读写头读 取放大器电路(100),包含: 一第一电晶体电路(108,124)具有一第一接头被耦合 于该读写头读取放大器电路(100)之一第一输出接 头(128),一第二接头被耦合于该磁电阻器(102)之第 一接头(101),及一第三接头被耦合于该切换逻辑(105 ,106);以及 一第二电晶体电路(109,125)具有一第一接头被耦合 于该读写头读取放大器电路(100)之一第二输出接 头(131),一第二接头被耦合于该磁电阻器(102)之第 二接头(103),及一第三接头被耦合于该切换逻辑(105 ,106),其中当该切换逻辑(105,106)为在该第一状态时 该第一电晶体电路(108,124)之第三接头被耦合于一 固定的基准电压来源并被其偏压,且该第二电晶体 电路(109,125)之第三接头被耦合于一差别的误差放 大器(112)之一输出并被其偏压,其中当该切换逻辑( 105,106)为在该第二状态时,该第二电晶体电路(109, 125)之第三接头被耦合于该固定的基准电压来源( 113)并被其偏压,且该第一电晶体电路(108,124)之第 二接头被耦合于该差别的误差放大器(112)之该输 出并被其偏压。6.如申请专利范围第5项所述之双 极性读写头读取放大器电路(100),进一步包含: 一差别的回馈电路(112,115,118,119)被耦合于该读写 头读取放大器电路(100)之第一与第二接头,该差别 的回馈电路(112,115,118,119)接收在该读写头读取放 大器电路(100)之该等输出接头(128,131)所产生之一 差别的输出电压并使该差别的输出电压变为0,该 差别的误差放大器(112)被该差别的回馈电路(112,115 ,118,119)包含,该差别的回馈电路(112,115,118,119)之输 出被该差别的误差放大器(112)所产生,该差别的回 馈电路(112,115,118,119)经由该差别的误差放大器(112) 被耦合于该切换逻辑(105,106)。7.如申请专利范围 第6项所述之双极性读写头读取放大器电路(100),进 一步包含: 一第一共同模态回馈电路(132,135)被耦合于读写头 读取放大器电路(100)之输出接头(128,131),该第一共 同模态回馈电路(132,135)为该第一偏压电流设定一 最小値,该第一共同模态回馈电路(132,135)经由一第 一电流来源电晶体(121)被耦合于该磁电阻器(102)之 第一接头(128); 一第二共同模态回馈电路(132,136)被耦合于读写头 读取放大器电路(100)之输出接头(128,131),该第二共 同模态回馈电路(132,136)为该第二偏压电流设定一 最小値,该第二共同模态回馈电路(132,136)经由一第 二电流来源电晶体(122)被耦合于该磁电阻器(102)之 第二接头(103);以及 一电流排极(121,122,150)包含该等第一与第二电流来 源电晶体(121,122)与一感应器(150),该第一电流来源 电晶体(121)具有一第一接头,该第一共同模态回馈 电路(132,135)经由该切换逻辑(105,106)被耦合于该第 一电流来源电晶体(121)之第一接头,该第一电流来 源电晶体(121)具有一第二接头被耦合于该磁电阻 器(102)之第一接头(101),该第一电流来源电晶体(121) 具有一第三接头被耦合于该感应器(150)之一第一 接头,该第二电流来源电晶体(122)具有一第一接头, 该第二共同模态回馈电路(132,136)经由该切换逻辑( 105,106)被耦合于该第二电流来源电晶体(122)之第一 接头,该第二电流来源电晶体(122)具有一第二接头 被耦合于该磁电阻器(102)之第二接头,该第二电流 来源电晶体(122)具有一第三接头被耦合于该感应 器(150)之第一接头,该感应器(150)具有一第二接头 被耦合于接地,其中该感应器之阻抗减少该等第一 与第二电流来源电晶体(121,122)所产生的任何杂讯 。8.如申请专利范围第7项所述之双极性读写头读 取放大器电路(100),其中该第一偏压电流(114)为一 第一电流数位对类比转换器,且其中该第一偏压电 流之値可藉由调整该第一电流数位对类比转换器 而被调整。9.如申请专利范围第8项所述之双极性 读写头读取放大器电路(100),其中该第二偏压电流( 116)为一第一电流数位对类比转换器,且其中该第 二偏压电流之値可藉由调整该第二电流数位对类 比转换器而被调整。10.如申请专利范围第9项所述 之双极性读写头读取放大器电路(100),其中该第一 电晶体电路(108,124)对应于一第一栅地-阴地放大电 路(108,124)且其中该第二电晶体电路(109,125)对应于 一第二栅地-阴地放大电路(109,125),该等第一与第 二栅地-阴地放大电路每一个包含数个电晶体以串 联被连接,该第一栅地-阴地放大电路(108,124)具有 一第一接头被耦合于该读写头读取放大器电路(100 )之第一输出接头(128),该第一栅地-阴地放大电路( 108,124)具有一第二接头被耦合于该磁电阻器(102)之 第一接头,该第二栅地-阴地放大电路(109,125)具有 一第一接头被耦合于该读写头读取放大器电路(100 )之第二输出接头(131),该第二栅地-阴地放大电路( 109,125)具有一第二接头被耦合于该磁电阻器(102)之 第二接头,该第一栅地-阴地放大电路(108,124)经由 一对电容器以交叉被耦合于该第二栅地-阴地放大 电路(109,125),其中该差别的回馈电路(112,115,118,119) 包含一增益级,其放大该差别的输出电压,一电压 对电流转换器级,其将放大后之差别的输出电压转 换成一电流信号,及该对电容器用于整合该电流信 号,其中该第一共同模态回馈电路(132,135)包含一第 一 共同模态放大器,该第一共同模态放大器具有一第 一接头经由一感应电阻器被耦合于该读写头读取 放大器电路(100)之输出接头间,及一第二接头被耦 合于一共同模态基准电压,该第一共同模态放大器 具有一输出接头经由该切换逻辑被耦合于该第一 电流来源电晶体之第一接头,该电流来源电晶体之 第一接头为该第一电流来源电晶体之闸,其中当该 切换逻辑(105,106)为在该第一状态时,该切换逻辑将 该第一共同模态放大器之输出连接至该第一电流 来源电晶体之闸,而该第一电流来源电晶体被接通 。图式简单说明: 第一图为一方块图,图示一典型的磁性读/写系统, 用于由一磁性储存媒体(如磁碟或磁带)读取资讯 或写出资讯于其上。 第二图图示普遍在如第一图显示之磁性读/写系统 使用之双供应MR读写头读取放大器的型式。 第三图为依照本发明第一实施例之单一极性MR读 写头读取放大器的示意方块图。 第四图图示依照本发明第二实施例之双极性、双 方向MR读写头读取放大器,其能产生双方向的偏压 电流。
地址 美国