| 主权项 |
1.一种减低静电夹头之颗粒产生的方法,包括下列步骤:在晶圆温度比静电夹头的吸着面温度低的状态下,设置该晶圆于该静电夹头之吸着面上;藉由施加电压至该静电夹头,使该晶圆被吸着在该吸着面上;在该晶圆温度朝饱和温度上昇时,且在该晶圆温度到达该饱和温度之前,具有藉由相对于该吸着面滑动该晶圆,释放因为该晶圆的热膨胀和静电夹头的热膨胀之间的差所导致的应力的应力释放阶段。2.如申请专利范围第1项所述之减低静电夹头之颗粒产生的方法,其中藉由控制施加至该静电夹头的该电压,相对于该吸着面滑动该晶圆。3.如申请专利范围第2项所述之减低静电夹头之颗粒产生的方法,其中施加脉冲型电压至该静电夹头。4.如申请专利范围第2项所述之减低静电夹头之颗粒产生的方法,其中施加阶段的朝饱和电压上昇的电压至该静电夹头。5.如申请专利范围第2项所述之减低静电夹头之颗粒产生的方法,其中施加连续的朝饱和电压上昇的电压至该静电夹头。6.如申请专利范围第1项所述之减低静电夹头之颗粒产生的方法,其中当施加电压至该静电夹头时,藉由在该吸着面和该晶圆间流动晶背气体,使相对的吸着力减小,而使该晶圆相对于该吸着面滑动。7.如申请专利范围第1.2.3.4.5或6项所述之减低静电夹头之颗粒产生的方法,其中该饱和温度和该晶圆到达该饱和温度前的最后的该应力释放阶段的温度间的差在50℃以下。8.一种减低静电夹头之颗粒产生的方法,包括下列步骤:设置晶圆于静电夹头之吸着面上,施加脉冲型电压至该静电夹头,使该晶圆被吸着在该吸着面上。9.一种减低静电夹头之颗粒产生的方法,包括下列步骤:在晶圆温度比静电夹头的吸着面温度低的状态下,设置该晶圆于该静电夹头之吸着面上,施加阶段的或连续的朝饱和电压上昇的电压至该静电夹头,使该晶圆被吸着在该吸着面上。10.一种减低静电夹头之颗粒产生的方法,包括下列步骤:在晶圆温度比静电夹头的吸着面温度低的状态下,设置该晶圆于该静电夹头之吸着面上,施加该电压至该静电夹头,使该晶圆被吸着在该吸着面上时,在该吸着面和该晶圆间流入晶背气体。11.一种半导体制造装置,包括:静电夹头,具有用以设置半导体晶圆的吸着面;电源,用以施加电压至该静电夹头;以及控制装置,在该半导体晶圆温度到达饱和温度之前,改变该电源的电压。12.一种半导体制造装置,包括:静电夹头,具有用以设置半导体晶圆的吸着面;电源,用以施加电压至该静电夹头;晶圆温度量测装置,用以量测该半导体晶圆的温度;以及控制装置,监测和计算由该晶圆温度量测装置量测的该半导体晶圆温度,且基于此计算,传送控制该电源的控制信号。13.一种半导体制造装置,包括:静电夹头,具有用以设置半导体晶圆的吸着面;电源,用以施加电压至该静电夹头;以及晶背气体供应装置,用以在施加电压至该静电夹头时,在该吸着面和该晶圆间流动晶背气体。14.一种半导体制造装置,包括:静电夹头,具有用以设置半导体晶圆和假晶圆的吸着面;电源,用以施加电压至该静电夹头;晶圆温度量测装置,用以量测该假晶圆温度;以及控制装置,监测和计算由该晶圆温度量测装置量测的该假晶圆温度,且基于此计算,传送控制该电源的控制信号。图式简单说明:第一图为本发明的一实施例的图表,显示电压流程(schedule)V1和温度流程T1;第二图为本发明的一实施例的图表,显示电压流程V2和温度流程T2;第三图为本发明的一实施例的图表,显示电压流程V3和温度流程T3;第四图为一实施例的图表,显示在持续施加一定的电压时,流入晶背气体;以及第五图为一模式的方块(block)图,显示实施本发明方法的装置之较佳实施例。 |
