| 主权项 |
1.一种半导体发光元件至少包含:一第一电极板,系为第一传导型;一半导体基板,形成于该第一电极板之上,且该半导体基板为该第一传导型之半导体材料;一第一载流遮罩,形成于该半导体基板之上表层,且该载流遮罩之面积小于该半导体基板;一双异质结构,形成于该第一载流遮罩之上方;一接触层,形成于该双异质结构之上,且该接触层为该第二传导型之半导体材料;一第二载流遮罩,形成于该接触层之上表面,且该第二载流遮罩之大小、位置对应于该第一载流遮罩;一窗口层,形成于该第二载流遮罩之上方,且该窗口层为该第二传导型之半导体材料;以及一第二电极板,形成于该窗口层之上,且其大小、位置对应于该第二载流遮罩。2.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中该第一传导型为n传导型,且该第二传导型为p传导型。3.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,更包含一n传导型之分布式布拉格反射层形成于该缓冲层与该双异质结构之间。4.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中该第一载流遮罩为氧化层,且该第一载流遮罩位于该半导体基板上表层中心处,并对称于该半导体发光元件的中心轴。5.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中该第一载流遮罩为氧化层,且该第一载流遮罩位于该半导体基板上表层之两侧,并对称于该半导体发光元件的中心轴。6.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中该第一载流遮罩为p传导性之半导体材料,且该第一载流遮罩位于该半导体基板上表层中心处,并对称于该半导体发光元件的中心轴。7.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中该第一载流遮罩为p传导性之半导体材料,且该第一载流遮罩位于该半导体基板上表层之两侧,并对称于该半导体发光元件的中心轴。8.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中该双异质结构至少包含:一第一限制层,形成于该双异质结构之方位置,且该第一限制层为n传导型之磷化铝镓铟;一活性层,形成于该第一限制层的上方,且该活性层为为未掺杂之磷化铝镓铟;以及一第二限制层,形成于该或性层之上方且该第二限制层为p传导型之磷化铝镓铟。9.如专利范围第8项之半导体发光元件,其中该活性层为多重量子井结构。10.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中该接触层系为磷化砷镓之渐变层(GaAsxP1-x,0<x<1)所组成的,用以降低晶格匹配误差。11.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中该第二载流遮罩为氧化层,且该第二载流遮罩位于该接触层之上表层中心处,并对称于该半导体发光元件的中心轴。12.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中该第二载流遮罩为氧化层,且该第二载流遮罩位于该接触层之上表层之两侧,并对称于该半导体发光元件的中心轴。13.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中该第二载流遮罩为n传导性之半导体材料,且该第二载流遮罩位于该接触层之上表层中心处,并对称于该半导体发光元件的中心轴。14.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中该第二载流遮罩为n传导性之半导体材料,且该第二载流遮罩位于该接触层之上表层之两侧,并对称于该半导体发光元件的中心轴。15.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中该窗口层系由氧化锌铝(AlZnOx)所组成的。16.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中该窗口层系由或氧化铟锡(indium-tin oxide; ITO)所组成的。17.一种半导体发光元件至少包含:一第一电极板,系为第一传导型;一半导体基板,形成于该第一电极板之上,且该半导体基板为兹第一传导型之半导体材料;一第一载流遮罩,形成于该半导体基板之上表层中心处,且该载流遮罩之面积小于该半导体基板;一缓冲层,形成于该第一载流遮罩之上方,且该缓冲层为该第一传导性之半导体材料;一分布式布拉格反射层,形成于该缓冲层之上方,且该分布式布拉格反射层为该第一传导型之半导体材料;一双异质结构,形成于该分布式布拉格反射层之上方,且该双异质结构至少包含:一第一限制层,形成于该分布式布拉格反射层之上方,且该第一限制层为该第一传导型之半导体材料;一活性层,形成于该第一限制层之上方,且该活性层系为未掺杂之半导体材料;以及一第二限制层,形成于该活性层之上方,且该第二限制层为第二传导型之半导体材料;一接触层,形成于该双异质结构之上,且该接触层为该第二传导行之半导体材料;一第二载流遮罩,形成于该接触层之上表面,且该第二载流遮罩之大小、位置对应于该第一载流遮罩;一窗口层,形成于该第二载流遮罩之上方,且该窗口层该为第二传导型之半导体材料;以及一第二电极板,形成于该窗口层之上,且其大小、位置对应于该第二载流遮罩。18.如申请专利范围第17项之半导体发光元件,其中该第一传导型为n传导型,且该第二传导型为D传导型。19.如申请专利范围第17项之半导体发光元件,其中该第一载流遮罩为氧化层形成该半导体基板上表层之上,即位于该缓冲层之底部内。20.如申请专利范围第17项之半导体发光元件,其中该第一载流遮罩为该p传导型之半导体材料,且该第一载流遮罩位于该半导体基板之上表层内。21.如申请专利范围第17项之半导体发光元件,其中该活性层为多重量子井结构。22.如申请专利范围第17项之半导体发光元件,其中该接触层系为磷化砷镓之渐变层(GaAsxP1-x,0<x<1)所组成的,用以降低晶格匹配误差。23.如申请专利范围第17项之半导体发光元件,其中该第二载流遮罩为氧化层形成该接触层上表层之上,即位于该窗口之底部内。24.如申请专利范围第17项之半导体发光元件,其中该第二载流遮罩为该n传导型之半导体材料,且该第二载流遮罩位于该接触层之上表层内。25.如申请专利范围第17项之半导体发光元件,其中该窗口层系由氧化锌铝(AlZnOx)所组成的。26.如申请专利范围第17项之半导体发光元件,其中该窗口层系由或氧化铟锡(indium-tin oxide; ITO)所组成的。27.一种半导体发光元件至少包含:一第一电极板,系为第一传导型;一半导体基板,形成于该第一电极板之上,且该半导体基板为该第一传导型之半导体材料;一第一载流遮罩,形成于该半导体基板上表层之两侧,且该载流遮罩之面积小于该半导体基板;一缓冲层,形成于该第一载流遮罩之上方,且该缓冲层为该第一传导性之半导体材料;一分布式布拉格反射层,形成于该缓冲层之上方,且该分布式布拉格反射层为该第一传导型之半导体材料;一双异质结构,形成于该分布式布拉格反射层之上方,且该双异质结构至少包含:一第一限制层,形成于该分布式布拉格反射层之上方,且该第一限制层为该第一传导型之半导体材料;一活性层,形成于该第一限制层之上方,且该活性层系为未掺杂之半导体材料;以及一第二限制层,形成于该活性层之上方,且该第二限制层为第二传导型之半导体材料;一接触层,形成于该双异质结构之上,且该接触层为该第二传导行之半导体材料;一第二载流遮罩,形成于该接触层之上表面,且该第二载流遮罩之大小、位置对应于该第一载流遮罩;一窗口层,形成于该第二载流遮罩之上方,且该窗口层该为第二传导型之半导体材料;以及一第二电极板,形成于该窗口层之上,且其大小、位置对应于该第二载流遮罩。28.如申请专利范围第27项之半导体发光元件,其中该第一传导型为n传导型,且该第二传导型为p传导型。29.如申请专利范围第27项之半导体发光元件,其中该第一载流遮罩为氧化层形成该半导体基板上表层之上,即位于该缓冲层之底部内。30.如申请专利范围第27项之半导体发光元件,其中该第一载流遮罩为该p传导型之半导体材料,且该第一载流遮罩位于该半导体基板之上表层内。31.如申请专利范围第27项之半导体发光元件,其中该活性层为多重量子井结构。32.如申请专利范围第27项之半导体发光元件,其中该接触层系为磷化砷镓之渐变层(GaAsxP1-x,0<x<1)所组成的,用以降低晶格匹配误差。33.如申请专利范围第27项之半导体发光元件,其中该第二载流遮罩为氧化层形成该接触层上表层之上,即位于该窗口之底部内。34.如申请专利范围第27项之半导体发光元件,其中该第二载流遮罩为该n传导型之半导体材料,且该第二载流遮罩位于该接触层之上表层内。35.如申请专利范围第27项之半导体发光元件,其中该窗口层系由氧化锌铝(AlZnOx)所组成的。图式简单说明:第一图a为本发明之一半导体发光元件的截面及载流流动示意图。第一图b为本发明之另一半导体发光元件的截面及载流流动示意图。第二图a为本发明中,载流遮罩位于半导体发光元件中心之一实施例的截面图。第二图b为本发明中,载流遮罩位于半导体发光元件中心之另一实施例的截面图。第三图a为本发明中,载流遮罩位于半导体发光元件两侧之一实施例的截面图。第三图b为本发明中,载流遮罩位于半导体发光元件两侧之另一实施例的截面图。 |
