| 主权项 |
1.一种热处理装置,包含:用以加热被处理基板的热处理盘;多个设置于该热处理盘上的被处理基板的载温面侧,用以支撑被处理基板和热处理盘保持规定距离的支撑体;及在由上述被处理基板的支撑体所支撑的支撑领域以外,将上述被处理基板接触自如地吸引至上述热处理盘一侧的吸引手段。2.如申请专利范围第1项所记载之热处理装置,其中,上述吸引手段对上述被处理基板的吸引领域为多个领域,及/或至少缘部之部份领域。3.如申请专利范围第1项所记载之热处理装置,其中,上述多个支撑体或移载手段配置在载置于热处理盘上之被处理基板各边中点连线所形成之菱形的位置上,及/或载置于上述热处理盘上之被处理基板的四角与各边的中点之位置上。4.如申请专利范围第1项所载之热处理装置,更具有用以调节上述吸引手段之吸引量的吸引量调节装置,利用该吸引量调节装置,使上述被处理基板和上述热处理盘接触或保持规定的间隔,以处理上述基板。5.如申请专利范围第1项所载之热处理装置,其中,在对上述被处理基板进行处理时,使被处理基板的中央部份和热处理盘间设定的间隔大于被处理基板边缘和热处理盘间的间隔。6.如申请专利范围第1项所记载之热处理装置,其中,上述复数之支撑体或移载手段,设定成规定电位。7.如申请专利范围第3项所记载之热处理装置,其中,上述支撑体或移载手段所产生之被处理基板与热处理盘的杂间距离为0.2-0.3mm。8.一种热处理装置,包含:用以加热被处理基板的热处理盘;利用多点支撑前述被处理基板,使上述被处理基板和上述热处理盘靠近,及/或离开的移载手段;及在利用该移载手段支撑之状态下,将被处理基板接触自如地吸引至上述热处理盘侧之吸引手段。9.如申请专利范围第8项所记载之热处理装置,其中,上述吸引手段对上述处理基板的吸引领域为多个领域,及/或至少缘部之部份领域。10.如申请专利范围第8项所记载之热处理装置,其中,上述多个支撑体或移载手段配置在载置于热处理盘上的被处理基板各透中点连线所形成的菱形位置,及/或载置上述热处理盘上述之被处理基板的四角与各边的中点之位置。11.如申请专利范围第8项所记载之热处理装置,更具有用以调节该吸引手段之吸引量的吸引量调节装置,利用该吸引量调节装置,使上述被处理基板和上述热处理盘接触或保持规定的间隔距离,以处理上述被处理基板。12.如申请专利范围第8项所记载之热处理装置,其中,在对上述被处理基板进行处理时,使被处理基板的中央部份和热处理盘间设定的间隔大于被处理基板边缘和热处理盘间的间隔。13.如申请专利范围第8项所记载之热处理装置,其中,上述复数之支撑体或移载手段,设定成规定电位。14.如申请专利范围第10项所记载之热处理装置,其中,上述支撑体或移载手段所产生之被处理基板与热处理盘的离间距离为0.2-0.3mm。15.一种热处理方法,系对被处理基板实施热处理的热处理方法,包含以下制程:使被处理基板和热处理盘接近至规定距离;使被处理基板的中央部份与用以加热被处理基板之热处理盘的间隔,大于被处理基板边缘与热处理盘之间隔;相对于用以加热被处理基板的热处理盘,使被处理基板变成凹凸状;使被处理基板的一部份与用以加热被处理基板的热处理盘相接触;使被处理基板和热处理盘的间隔,部份或至少某一领域变化。16.如申请专利范围第15项所记载之热处理方法,具有辅助热处理制程,作为进行上述热处理之前制程,预先将前述热处理中之被处理基板和热处理盘之间隔,设定的比进行上述热处理时大,以进行热处理。17.如申请专利范围第15项所记载之热处理方法,具有除静电制程,在进行上述热处理前,及/或热处理中,及/或热处理后,对被处理基板进行除静电。图式简单明:第一图是关于本发明实施形态的涂敷显像装置的轴侧图。第二图是关于本发明实施形态的涂敷显像装置的平面图。第三图是关于本发明实施形态的热处理单元的垂直断面图。第四图A是关于本发明的实施形态热处理单元的平面图。第四图B是关于本发明的实施形态热处理单元的轴侧图。第五图是关于本发明的实形态热处理单元的垂直断面图。第六图是关于本发明的实形态热处理盘的平面图。第七图是关于本发明的实形态热处理单元的垂直断面图。第八图是关于本发明的实形态热处理单元的垂直断面图。第九图是关于本发明的实形态热处理单元的垂直断面图。第十图是表示与本发明实施形态相关的热处理单元的工作时序图。第十一图A是关于本发明的实施形态热处理盘的平面图。第十一图B是关于本发明的实施形态热处理单元的移载手段的轴测图。第十二图是关于本发明的实施形态热处理盘的平面图。第十三图是表示基板升温过程的曲线图。第十四图是表示基板升温过程的曲线图。第十五图是表示基板升温过程的曲线图。第十六图是表示基板升温过程的曲线图。第十七图是表示基板升温过程的曲线图。第十八图是表示基板升温过程的曲线图。第十九图是表示基板带电状态的曲线图。第二十图是与本发明第2实施形态的热处理盘的垂直断面图。第二十一图是与本发明第2实施形态相关的热处理盘的垂直断面图。第二十二图是与本发明第3实施形态相关的热处理盘的平面图。第二十三图是与本发明第3实施形态相关的热处理盘的垂直断面图。第二十四图是与本发明第3实施形态相关的热处理盘的垂直断面图。 |
