| 主权项 |
1.一种用于制造微电子装置的方法,其包括下列步骤:提供包括暴露铝金属化表面及剩余物的工件;以包括含铝成分及含矽成分的硷性水基溶液处理包括暴露铝金属化表面的工件,该溶液与工件反应而在暴露铝金属化表面上形成铝矽酸盐,溶液有助于将剩余物从工件上去除。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中含矽成分包括矽酸。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中溶液进一步包括一或多种表面活性剂。4.根据申请专利范围第1项之方法,其进一步包括将硷性水基溶液加热以处理工件。5.根据申请专利范围第2项之方法,其中含铝成分包括氢氧化铝。6.根据申请专利范围第5项之方法,其中溶液进一步包括氢氧化铝。7.一种用于制造微电子装置之方法,其包括下列步骤:提供包括暴露铝金属化表面及剩余物的工件;清洁工件以利用包括氢氧化铝及矽酸的硷性水基溶液去除剩余物。8.根据申请专利范围第7项之方法,其中溶液实质以矽酸饱和。9.根据申请专利范围第7项之方法,其中溶液进一步包括一或多种表面活性剂。10.根据申请专利范围第7项之方法,其中溶液包括氢氧化铝。11.根据申请专利范围第10项之方法,其中氢氧化铝为四甲基氢氧化铵。12.根据申请专利范围第7项之方法,其进一步包括加热硷性水基溶液以处理工件的步骤。13.一种用于制造微电子装置之溶液,该溶液包括:水;溶解于水中的第一组份以使溶液变硷性;一或多种当工件之暴露铝金属化表面与溶液接触时会在该表面上形成铝矽酸盐的组份。14.根据申请专利范围第13项之溶液,其中溶液进一步包括一或多种表面活性剂。15.根据申请专利范围第13项之溶液,其中一或多种组份包括氢氧化铝及矽酸。16.根据申请专利范围第15项之溶液,其中溶液实质上以矽酸饱和。17.根据申请专利范围第15项之溶液,其中第一组份包括氢氧化铝。18.根据申请专利范围第17项之溶液,其中氢氧化铝系为四甲基氢氧化铵。19.一种用于制造微电子装置之方法,其包括下列步骤:提供包括金属X之暴露金属化表面及进一步包括表面剩余物的工件;以包含一或多种在暴露金属化表面上形成金属X之保护化合物之组份的硷性水基溶液以处理包括暴露金属化表面的工件,该溶液有助于将剩余物从工件上去除。图式简单说明:第一图系为说明根据本发明之一具体实施例的流程图。 |
