| 主权项 |
1.一种有机电发光元件,其为于具有将至少阳极层 、发光区、电子注入区及阴极层依序叠层构造之 有机电发光元件中, 该电子注入区含有不含氮原子之芳香族环化合物 、与还原性掺杂剂,且 该电子注入区之电子亲和力为在1.8-3.6eV范围内之 値为其特征。2.如申请专利范围第1项所述之有机 电发光元件,其为该电子注入区之玻璃态化点为100 ℃以上値为其特征之有机电发光元件。3.如申请 专利范围第1项或第2项所述之有机电发光元件,其 为该芳香族环化合物为含有由、芴、、芘、 菲、 、并四苯、红 烯、伸联三苯、伸联四苯、 伸联六苯及苯并[9,10]菲所组成群中选出至少一之 芳香族环所形成之基为其特征之有机电发光元件 。4.如申请专利范围第1项所述之有机电发光元件, 其为该芳香族环化合物为含有由苯乙烯基所取代 之芳香族环、二苯乙烯基所取代之芳香族环及三 苯乙烯基所取代之芳香族环所组成群中选出至少 一种之芳香族环所形成之基为其特征之有机电发 光元件。5.如申请专利范围第1项所述之有机电发 光元件,其为该还原性掺杂剂为由硷金属、硷土类 金属、稀土类金属、硷金属之氧化物、硷金属之 卤化物、硷上类金属之氧化物、硷土类金属之卤 化物、稀土类金属之氧化物或稀土类金属之卤化 物所组成群中选出至少一种物质为其特征之有机 电发光元件。6.如申请专利范围第1项所述之有机 电发光元件,其为该还原性掺杂剂之功函数为3.0eV 以下之値为其特征之有机电发光元件。7.如申请 专利范围第1项所述之有机电发光元件,其为该还 原性掺杂剂为Li、Na、K、Rb及Cs所组成群中选出至 少一种硷金属为其特征之有机电发光元件。8.如 申请专利范围第1项所述之有机电发光元件,其为 该电子注入区之能量间隙为2.7eV以上之値为其特 征之有机电发光元件。9.如申请专利范围第1项所 述之有机电发光元件,其为该芳香族环化合物与还 原性掺杂剂之添加比率为在1:20-20:1(莫耳比)范围 内之値为其特征之有机电发光元件。10.如申请专 利范围第1项所述之有机电发光元件,其为于该发 光区与该电子注入区中,含有不含氮原子之同一种 类的芳香族环化合物为其特征之有机电发光元件 。11.如申请专利范围第1项所述之有机电发光元件 ,其为于该阴极层与该电子注入区之间及该阳极层 与该发光区之间、或任何一者,设置界面层为其特 征之有机电发光元件。12.一种有机电发光元件,其 为于具有将至少阳极层、发光区、电子注入区及 阴极层依序叠层构造之有机电发光元件中, 该电子注入区含有电子输送性化合物、与功函数 为2.9eV以下之还原性掺杂剂,且, 该电子注入区之电子亲和力为在1.8-3.6eV范围内之 値为其特征。13.如申请专利范围第12所述之有机 电发光元件,其为该还原性掺杂剂为由Na、K、Rb、 Cs、Ca、Sr及Ba所组成群中选出至少一种硷金属或 硷土金属为其特征之有机电发光元件。14.如申请 专利范围第12项或第13项所述之有机电发光元件, 其为该电子输送性化合物为含有含氮杂环化合物 为其特征之有机电发光元件。15.如申请专利范围 第14项所述之有机电发光元件,其为该含氮杂环化 合物为由含氮复合物、衍生物、喔衍生物 、恶二唑衍生物、二唑衍生物及三唑衍生物所 组成群中选出至少一种之化合物为其特征之有机 电发光元件。16.如申请专利范围第12项所述之有 机电发光元件,其为该电子输送性化合物与还原性 掺杂剂之添加比率为在1:20-20:1(莫耳比)范围内之 値为其特征之有机电发光元件。17.如申请专利范 围第13项所述之有机电发光元件,其为该电子注入 区之玻璃态化点为100℃以上之値为其特征之有机 电发光元件。18.如申请专利范围第12项所述之有 机电发光元件,其为该发光区与该电子注入区中, 含有同一种类之电子输送性化合物为其特征之有 机电发光元件。19.如申请专利范围第12项所述之 有机电发光元件,其为于该阴极层与该电子注入区 之间及该阳极层与该发光区之间、或任何一者,设 置界面层为其特征之有机电发光元件。图式简单 说明: 第一图第一及第二实施形态中的有机EL元件之截 面图。 第二图第第三实施形态中的有机EL元件之截面图 。 第三图第第四实施形态中的有机EL元件之截面图 。 第四图第第五实施形态中的有机EL元件之截面图 。 第五图实施例1中的有机EL元件之截面图。 第六图实施例2中的有机EL元件之截面图。 第七图第六实施形态中之真空淀积装置的斜视图 。 第八图第六实施形态中之真空淀积装置的截面图 。 第九图供于说明基板上测定点之图。 第十图先前之有机EL元件之截面图。 |
