| 摘要 |
<p>Auf einem Substrat (1) ist eine Doppel-Gate-MOSFET-Halbleiterschichtstruktur aufgebaut. Diese besteht aus einer ersten und einer zweiten Gateelektrode (10A, 10B), zwischen denen eine Halbleiter-Kanalschichtzone (4A) eingebettet ist, sowie einem Source- (2A) und Drain-Bereich (2B), welche an gegenüberliegenden Stirnseiten der Halbleiter-Kanalschichtzone (4A) angeordnet sind. An einer der Gateelektroden (10B) ist zumindest eine weitere Halbleiter-Kanalschichtzone (6A) vorgesehen, deren Stirnseiten ebenfalls von den Source- (2A) und Drain-Bereichen (2B) kontaktiert sind.</p> |
