发明名称 |
临界温度典型值为95K的钕钡铜氧高温超导外延薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明属Nd<SUB>1</SUB>Ba<SUB>2</SUB>Cu<SUB>3</SUB>O<SUB>7-δ</SUB>高温超导材料体系。本发明采用倒筒式直流溅射方法比已有技术的分子束外延法和激光沉积法能更容易控制薄膜组分,特别是在制备技术中采用了合适的基片温度和较低的氧分压,及后处理工序中采用氧等离子处理等措施,尽可能地减小了Nb/Ba的固溶缺陷并提高了载流子浓度,使氧空位分布更加有序,从而使所制得的Nd<SUB>1</SUB>Ba<SUB>2</SUB>Cu<SUB>3</SUB>O<SUB>7-δ</SUB>薄膜经感应法和电阻法测试其Tco均大于94k,典型值高达95k。 |
申请公布号 |
CN1059984C |
申请公布日期 |
2000.12.27 |
申请号 |
CN97107701.0 |
申请日期 |
1997.10.07 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
李言荣;徐进 |
分类号 |
H01L39/24;H01B12/06;C04B35/50 |
主分类号 |
H01L39/24 |
代理机构 |
电子科技大学专利事务所 |
代理人 |
严礼华 |
主权项 |
1.钕钡铜氧高温超导薄膜的制备方法其特征是采用了倒筒式直流溅射方法,使制出的Nd1Ba2Cu3O7-δ薄膜的临界温度Tco的典型值达到95K,其具体的制作技术为:(1)选用Nd1Ba2Cu3O7-δ圆柱靶材;(2)基片为LaAO3(100)单晶片,靶基距为8cm;(3)溅射条件: 气氛:氧氩混合气体 O2∶Ar=1∶2~3.3,总压60~65Pa 电流:0.2~0.7A 基片温度:750℃~770℃ 时间:10~18h(4)后处理工序:溅射完后关掉Ar气,样品在氧等离子体中降温至390℃后充入8×104Pa纯氧,保温8分钟后自然冷却至100℃以下。 |
地址 |
610054四川省成都市建设北路二段四号李言荣 |