| 发明名称 |
A semiconductor material comprising two dopants |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2351390(A) |
申请公布日期 |
2000.12.27 |
| 申请号 |
GB19990013900 |
申请日期 |
1999.06.16 |
| 申请人 |
* SHARP KABUSHIKI KAISHA |
发明人 |
ALISTAIR HENDERSON * KEAN;HARUHISA * TAKIGUCHI |
| 分类号 |
H01L21/22;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/223;H01L21/324;H01S5/20;H01S5/30;H01S5/32;H01S5/323;(IPC1-7):H01S5/10;H01L21/18;H01S5/183 |
主分类号 |
H01L21/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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