抗菌羟基磷灰石镀层的制备方法

摘要

本发明涉及一种抗菌羟基磷灰石镀层的制备方法，该方法首先是在清洗过的样品表面溅射沉积羟基磷灰石镀层，然后将镀完膜的样品放在浓度为２０—１００ｐｐｍ的ＡｇＮＯ₃溶液中，室温下浸泡２４—４８小时，即为具有抗菌羟基磷灰石镀层的样品。本发明制备的样品，其杀菌率在２４小时内达１００％，对巨噬细胞、成骨细胞等无毒副作用，具有良好的生物相容性。

主权项

1.一种医用植入物的离子束增强沉积羟基磷灰石镀层的制备方法，其 特征在于该方法包括下列各步骤： (1)清洗：电流为30～60mA，用能量为0.8～1.2KeV的Ar离子束轰 击基底样品表面，轰击时间为10～15分钟，本底压强为5×10^-6乇，工作 过程中，保持水蒸汽分压为0～2×10^-4乇，工作压强为0.5×2.5^-4乇； (2)制作界面：以50％的羟基磷灰石烧结陶瓷靶为溅射靶，用电流为 20～60mA，能量为0.3～3.5KeV的离子束轰击，在基底样品表面溅射成 膜，同时以电流为1～3mA，能量为24～30KeV的高能Ar离子束轰击基 底样品表面，溅射时间为10～30分钟； (3)沉积生长：上述第二步的溅射过程继续进行，用电流为40～ 100mA、能量为3～3.5KeV的离子轰击，继续溅射成膜，同时以电流为5 ～20mA，能量为0.5～400KeV的低能Ar离子轰击，溅射时间为1～5小 时； (4)镀膜后1小时，将上述第三步的膜样品从真空中取出，加热至 380℃～420℃，在湿度为大于70％的潮湿空气中退火0～4小时，即可得 到具备羟基磷灰石镀层的样品； 其特征在于还包括： (5)将上述镀完膜的样品放在浓度为20-100ppm的AgNO₃溶液中， 室温下浸泡24-48小时，即为具有抗菌羟基磷灰石镀层的样品。