| 发明名称 | 降低基片依赖性的试剂 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于降低基片依赖性的试剂,可用作制备半导体器件等的光刻胶组合物的成分,该试剂包括如下通式(1)所示化合物:其中R<SUB>41</SUB>是氢原子或甲基,R<SUB>42</SUB>是氢原子、甲基、乙基或苯基,R<SUB>43</SUB>是含有1—6个碳原子的直链、支链或环状烷基,n是0或1。 | ||
| 申请公布号 | CN1278076A | 申请公布日期 | 2000.12.27 |
| 申请号 | CN00122256.2 | 申请日期 | 2000.06.09 |
| 申请人 | 和光纯药工业株式会社 | 发明人 | 浦野文良;片野直树;桐生知子 |
| 分类号 | G03F7/00 | 主分类号 | G03F7/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 刘金辉 |
| 主权项 | 1.一种用于降低光刻胶组合物的基片依赖性的试剂，包括如下通式[1]所示化合物：其中R41是氢原子或甲基，R42是氢原子、甲基、乙基或苯基，R43是含有1-6个碳原子的直链、支链或环状烷基，n是0或1。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||