| 发明名称 | 一种大量制备单壁纳米碳管的氢弧放电方法 | ||
| 摘要 | 一种大量制备单壁纳米碳管的氢弧放电方法,采用阴、阳极在压力气氛下电弧放电的方式,阳极为由石墨、催化剂混合物组成的消耗阳极,催化剂选自铁、钴、镍、钇中的一种或多种,加入量为2.5～5.0at%,其特征在于:(1)反应气氛为50～400乇氢气;(2)阴极与阳极间成30～80°的角度;(3)构成阳极的反应物中加入0.5～1at%的硫或固体硫化物作生长促进剂。本发明可以半连续地低成本、大量、高纯度地生产单壁纳米管。 | ||
| 申请公布号 | CN1277937A | 申请公布日期 | 2000.12.27 |
| 申请号 | CN99113022.7 | 申请日期 | 1999.06.16 |
| 申请人 | 中国科学院金属研究所 | 发明人 | 刘畅;丛洪涛;成会明 |
| 分类号 | C01B31/02 | 主分类号 | C01B31/02 |
| 代理机构 | 中国科学院沈阳专利事务所 | 代理人 | 张晨 |
| 主权项 | 1.一种大量制备单壁纳米碳管的氢弧放电方法，采用阴、阳极在压力气氛下电弧放电的方式，阳极为由石墨、催化剂混合物组成的消耗阳极，催化剂选自铁、钴、镍、钇中的一种或多种，加入量为2.5～5.0at％，其特征在于：(1)反应气氛为50～400乇氢气；(2)阴极与阳极间成30～80°的角度；(3)构成阳极的反应物中加入0.5～1 at％的硫或固体硫化物作生长促进剂。 | ||
| 地址 | 110015辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 | ||