| 主权项 |
1.一种操作一基材处理反应室的方法,该反应室具有一内表面,该内表面具有含有污染物之组件,该方法包括的步骤为:在基材处理操作之前,于一氧气对矽甲烷的流率比例大于或等于1.4:1之下导引一包含矽甲烷及氧气之调整气体至该反应室中,用以在该反应室内表面的至少一部分上沉积一氧化矽薄膜。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其更包括了在该氧化矽薄膜沉积之后,在该反应室中处理一基材的步骤。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该氧化矽薄膜系藉由施加能量于该调整气体用以从该调整气体形成一电浆而被沉积的。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该内表面之至少一部分包含一陶瓷材料。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氧气对矽甲烷的流率比例系介于1.6:1至2.2:1之间。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其更包括了在将该调整气体导入该反应室之前,藉由将一蚀刻气体引入该反应室中,让该蚀刻气体与一被沉积于一内表面的至少一部分上之物质,藉此对该物质加以清洗。7.一种制造一个或更多个积体电路的方法,该方法包括的步骤为:(a)提供一具有一内表面之基材处理反应室;(b)藉由将一蚀刻气体引入该反应室中来清洗该反应室之至少一内表面;(c)之后,将一包含氧气(O2)及矽甲烷(SiH4)之调整气体引入该反应室中,该调整气体是在O2对SiH4的流率比例介于1.4:1至2.4:1的比例下被引入的;(d)从该调整气体激发一电浆,用以在该反应室的一内表面的至少一部分上沉积一氧化矽薄膜;(e)之后,将一其上形成有一或多个积体电路之基材送入该反应室中;及(f)之后,将一沉积气体引入该反应室中,用以在该基材上沉积一薄膜层。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该内表面之至少一部分包含一陶瓷材料。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该氧气对矽甲烷的流率比例系介于1.6:1至2.2:1之间。10.一种由申请专利范围第7项所述之方法制成的积体电路。11.一种基材处理系统,其包括:一壳体,用来形成一真空室,该真空室具有一内表面;一基材固持件,其位在该壳体内用来固持一基材;一气体输送系统,用来将一调整气体引入该真空室中;一控制器,用来控制该气体输送系统;及一连接至该控制器之记忆体,其包含一电脑可读取的媒体,该媒体具有一电脑可读取的程式用来指导该化学气相沉积反应器系统的操作,该电脑可读取的程式包括:一第一组指令,其在一基材处理操作之前,控制该气体输送系统,用以在一氧气对矽甲烷的流率比例大于或等于1.4:1之下导引一包含矽甲烷及氧气之调整气体至该反应室中,用以在该反应室内表面的至少一部分上沉积一氧化矽薄膜。12.一种基材处理系统,其包括:一壳体,用来形成一真空室,该真空室具有一内表面;一基材固持件,其位在该壳体内用来固持一基材;一基材运送系统,用来将一基材送入该真空反应室中并将该基材置于该基材固持器上;一气体输送系统,用来将一处理气体引入该真空室中;一电浆产生系统,用来从被引入到该真空反应室中之气体产生一电浆;一控制器,用来控制该基材运送系统,该气体输送系统及该电浆产生系统;及一连接至该控制器之记忆体,其包含一电脑可读取的的媒体,该媒体具有一电脑可读取的程式用来指导该化学气相沉积反应器系统的操作,该电脑可读取的程式包括:一第一组指令,用来控制该气体输送系统用以将一蚀刻气体引入该真空反应室中来清洗该真空反应室的内表面;一第二组指令,其在该第一组指令之后被执行,用来控制该气体输送系统,用以在一氧气对矽甲烷的流率比例介于1.4:1至2.4:1的范围下导引一包含矽甲烷及氧气之调整气体至该反应室中;一第三组指令,用来控制该电浆产生系统,用以从该调整气体形成一电浆以将一氧化矽层沉积于该真空反应室之内表面的至少一部分上;一第四组指令,其是在第二组及第三组指令之后被执行,用来控制该基材运送系统用来将一其上形成有一或多个积体电路之基材送入该真空反应室中并将该基材置于该基材固持器上;及一第五组指令,用来控制该气体输送系统用以将一沉积气体引入该真空反应室中以在该基材上沉积一薄膜层。图式简单说明:第一图A为依据本发明之一简化的高密度化学气相沉积设备的实施例的垂直剖面图;第一图B为可与第一图A中之CVD处理反应室一起使用之气体环的一简化的剖面图;第一图C为可与第一图A中之CVD处理反应室一起使用之一监视器及光笔之简化图;第一图D为被用来控制第一图A中之CVD处理反应室之处理控制电脑程式产品的流程图;第二图为一流程图,其展示依据本发明的方法的一实施例之调整层的形成的处理步骤;第三图为一图表,其展示O2/SiH4流率封在基材处理期间所产生之粒子数目的影响;及第四图A-第四图C为图表,其展示沉积有及没有本发明之调整层的好处之FTIR分析。 |
