| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体,属于具备在基板之表面侧对于闸极电极经由闸极绝缘膜相对之通道领域,与连接于该通道领域之源极-汲极领域的薄膜电晶体,及电气式地连接于上述源极-汲极领域的源极-汲极配线层,及电气式地连接于上述闸极电极之闸极绝缘层的薄膜电晶体,其特征为:在该薄膜电晶体之各构成中,由导电膜或半导体膜所构成之至少一构成部分,形成有散热用扩张部者。2.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体,其中,上述散热用扩张部系从上述闸极电极向侧方的扩张部分者。3.如申请专利范围第2项所述之薄膜电晶体,其中,上述闸极电极之扩张部分系形成于该闸极电极之至少一方的端部。4.如申请专利范围第3项所述之薄膜电晶体,其中,上述闸极电极之扩张部分,经由复数接触孔电气式地连接有闸极配线层者。5.如申请专利范围第2项所述之薄膜电晶体,其中,上述闸极电极之扩张部分,系形成在重叠于上述通道领域之领域内者。6.如申请专利范围第5项所述之薄膜电晶体,其中,上述闸极电极之扩张部分,系形成在相当于上述通道领域之宽度方向之大约中央领域的位置者。7.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体,其中,上述散热用扩张部系从上述通道领域向侧方的扩张部分者。8.如申请专利范围第7项所述之薄膜电晶体,其中,上述通道领域之扩张部分系形成在重叠于上述闸极电极之领域内者。9.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体,其中,上述散热用扩张部系从上述源极,汲极领域向侧方的扩张部分者。10.如申请专利范围第9项所述之薄膜电晶体,其中,上述源极,汲极领域之扩张部分经由复数接触孔电气式连接有源极,汲极配线层者。11.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体,其中,上述散热用扩张部,系在藉由逆导电型之上述薄膜电晶体所构成的CMOS反相器电路,在各CMOS电路间连接上述薄膜电晶体之源极,汲极领域彼此间地而从上述源极,汲极领域向侧方扩张之扩张部者。12.如申请专利范围第11项所述之薄膜电晶体,其中,上述散热用扩张部系藉由与该扩张部本身连接之源极,汲极领域相同之不纯物被导电化者。13.如申请专利范围第11项或第12项项所述之薄膜电晶体,其中,上述散热用扩张部系形成在各CMO S电路间与连接上述薄膜电晶体之源极;汲极领域彼此间之上述源极,汲极配线层重叠之领域内者。14.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体,其中,上述散热用扩张部,系从上述源极,汲极配线层及上述闸极配线层中之至少一方之配线层向侧方的扩张部分者。15.一种液晶显示装置,其特征为:使用藉由规定于申请专利范围第1项至第14项中任何一项所规定之薄膜电晶体构成有驱动电路的主动矩阵基板者。16.一种电子机器,其特征为:使用规定于申请专利范围第15项之液晶显示装置者。图式简单说明:第一图系表示构成于本发明之实施形态1之TFT电路之TFT的平面图。第二图系表示构成于本发明之实施形态2之TFT电路之TFT的平面图。第三图系表示构成于本发明之实施形态3之TFT电路之TFT的平面图。第四图系表示构成于本发明之实施形态4之TFT电路之TFT的平面图。第五图系表示构成于本发明之实施形态5之TFT电路之TFT的平面图。第六图系表示本发明之实施形态6之CMOS反相器电路的平面图。第七图(A)系表示本发明之实施形态7之CMOS反相器电路的平面图。第七图(B)系表示其他配线中提高散热效率时的说明图。第八图系模式地表示液晶显示装置之主动矩阵基板之构成的方块图。第九图(A)系表示于第八图之主动矩阵基板中,构成于其资料侧驱动电路或扫描侧驱动电路之CMOS反相器电路的电路图。第九图(B)系表示构成该CMOS反相器电路之TFT及配线层的平面图。第十图系放大表示被区划于表示在第八图之主动矩阵基板之一像素领域的平面图。第十一图系表示构成于表示在第八图之主动矩阵基板之三种类之TFT及保持电容的剖面图。第十二图系表示在第十一图之主动矩阵基板之制造方法之一例的工程剖面图。第十三图系表示在第十一图之主动矩阵基板之制造方法之一例中,继续实行表示于第十二图之工程之各工程的工程剖面图。第十四图系表示以往之TFT的平面图。第十五图系表示构成在以往之TFT电路之TFT的平面图。第十六图系表示使用本发明之液晶显示装置之一例的平面图。第十七图系表示第十六图之H-H'剖面图。第十八图系表示依本发明的电子机器之实施形态之概略构成的方块图。第十九图系表示作为电子机器之一例子之个人用电脑的斜视图。第二十图系表示作为电子机器之一例子之读页机的分解斜视图。第二十一图系表示使用作为电子机器之一例子之TCP之液晶显示装置的斜视图。第二十二图系表示合成液晶投影机之RGB三色光之棱镜光学系的概念图。 |
