| 主权项 |
1.一种多重晶片感测装置,其包括:一电性绝缘基底;该基底上并且具有复数个键结位置,该键结位置的每一个均包括至少两个内连接垫,用以提供一个感测元件和至少两个用来从该感测装置输出讯号的讯号输出垫之间的电性通讯,该些垫是由其有高导电性的金属所构成;以及复数个键结于该些键结位置上的感测元件。2.如申请专利范围第1项所述之多重晶片感测装置,其更包括有复数个导线接脚3.如申请专利范围第1项所述之多重晶片感测装置,其中该电绝缘基底是由陶瓷材料所构成。4.如申请专利范围第1项所述之多重晶片感测装置,其中该电绝缘基底主成份由氧化铝所构成。5.如申请专利范围第1项所述之多重晶片感测装置,其中该至少两个内连接垫是由银/钯。6.如申请专利范围第1项所述之多重晶片感测装置,其中该至少两个输出垫是由银/钯所构成。7.如申请专利范围第1项所述之多重晶片感测装置,其中该感测元件是用来感测气体或者液体。8.如申请专利范围第1项所述之多重晶片感测装置,其中该感测元件是选自压电石英晶体感测器、金氧半导体威测器和表面声波感测器所构成之族群。9.如申请专利范围第1项所述之多重晶片感测装置,其中该些感测元件是藉由含有锡和铅的焊料而被键结于该些键结位置上。10.如申请专利范围第1项所述之多重晶片感测装置,其更包括复数个键结于该至少两个讯号输出垫以提供该多重晶片感测装置包裹电通讯的J-接脚。11.如申请专利范围第1项所述之多重晶片感测装置,其中更包括有一个由绝缘材料构成之外壳,用来包裹具有复数个裸露感测元件之该多重晶片感测装置之上表面。12.一种多重晶片感测装置包装结构,,其包括有:一非导电性的陶瓷基底;复数个键结位置位在该基底上,且每一个键结位置均预备用来接收一个感测元件;至少两个内连接垫,用来使位在每个键结位置上的感测元件可互相电通讯;至少两个讯号输出垫,用来特讯号由位在该些键结位置上的感测元件输出;复数个位在该些键结位置之感测元件;以及一绝缘包装元件,用来包裹具有复数个裸露感测元件之该多重晶片感测装置之上表面。13.如申请专利范围第12项所述之多重晶片感测装置包装结构,其中该陶瓷基底主成份为氧化铝所构成。14.如申请专利范围12项所述之多重晶片感测装置包装结构,其中该至少两个讯号输出垫是由银/钯所构成。15.如申请专利范围第12项所述之多重晶片感测装置包装结构,其中该些感测元件是用来感测气体或者液体。16.如申请专利范围第12项所述之多重晶片感测装置包装结构,其中该感测元件是选自压电石英晶体感测器、金氧半导体感测器和表面声波感测器所构成之族群。17.如申请专利范围第12项所述之多重晶片感测装置包装结构,其中该些感测元件是藉由含有锡和铅的焊料而被键结于该些键结位置上。18.如申请专利范围第12项所述之多重晶片感测装置包装结构,其更包括复数个发自键结于该至少两个讯号输出垫以提供该多重晶片感测装置包裹电通讯的导线结构之导线接脚。19.如申请专利范围第12项所述之多重晶片感测装置包装结构,其更包括复数个键结于该至少两个讯号输出垫以提供该多重晶片感测装置包裹电通讯的J-接脚。20.一种形成多重晶片感测装置的方法,其步骤包括:提供一非导电性基底;形成复数个键结位置于该基底上,其形成步骤包括:沉积至少两个高导电性金属构成之内连线垫;沉积至少两个高导电性金属构成之讯号输出垫;电性连接至少一个感测元件于该至少两个内连接垫;以及电性连接至少两个连接装置于该至少两个讯号输出垫。21.如申请专利范围第20项所述之方法,其更包括提供陶瓷基底之步骤。22.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该至少两个连接装置是一种由用来向外连接该多重晶片感测装置之导线架构所发出的复数个导线接脚。23.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该至少两个连接装置是复数个用来向外连接该多晶片感测装置之J-导线。24.如申请专利范围第20项所述之方法,其更包括沉积至少两个带有银/钯之内连接垫。25.如申请专利范围第20项所述之方法,其更包括利用厚膜印刷技术沉积该至少两个带有银/钯的讯号输出垫。26.如申请专利范围第20项所述之方法,其更包括由压电石英晶体感测器、金氧半导体感测器和表面声波感测器所构成之族群中挑选出至少一个感测元件。27.如申请专利范围第20项所述之方法,其中更包括利用含有锡和铅的焊料使该至少一个感测元件与该至少两个内连接垫电性连接。28.如申请专利范围第20项所述之方法,其更包括利用含有锡和铅的焊料使该至少两个发自导线架构之导线接脚与说至少两个讯号输出垫电性连接。图式简单说明:第一图显示的是本发明之多重晶片感测装置的带有内连接垫及讯号输出垫的基底之放大平视图。第二图显示的是有复数个感测元件和导线接脚键结于第一图之基底的放大平视图。第二图A显示的是有具有输出垫键结于导线架构之第二图的结构放大剖面图。第二图B显示的是根据本发明的另一实施例的放大剖面,其中该装置未使用导线架构。第三图显示的是将本发明之多重晶片感测装置键结于导线接脚并且安置于一塑胶外壳内的放大剖面图。第三图A显示的是将第三图之塑胶外壳键结在一起并且使导线接脚的形状速造成用来连接平面状的贯穿孔的结结构放大剖面图。第三图B显示的是将第三图之塑胶外壳键结在一起并且使导线架构形成J-导线的结构放大剖面图。第四图显示的是根据本发明之多重经感测装置在感测元件键结到基底后的放大平视图。第四图A显示的是在第四图之装置键结到一具弹性的电路板后的结构放大平视图。第四图B显示的是在第四图之装置键结到一具弹性的电路板后的结构放大剖面图。第五图显示的是根据本发明之多重接电感测装置连接于一插槽后的透视图。 |
