封装测试晶片的保存方法

摘要

本发明系揭露一种封装测试晶片的保存方法，首先，在基板上依序形成A部份之腐蚀测试布局设计区及B部份之热应力布局设计区，其中A部份仅有单层金属导线而B部份有双层导线设计，接着，覆盖一保护层于B部份之上，接续，进入本发明之重点，形成有机薄膜于基板表面，将基板上A部份与B部份保护住，防止基板上A部份与B部份在末进行封装材料测试前与环境中的少许酸气与水气反应，使基板上的导线进行腐蚀，最后，当要进行封装材料各项基本测试时，使用有机溶剂将有机薄膜除去直接进行封装材料各项基本测试。

主权项

1.一种封装测试晶片的保存方法,系包括:(a)提供已完成前段制程之半导体基板,沈积保护层于所述之部份半导体基板上方;(b)形成一有机薄膜(polymer film)于所述半导体基板之上;(c)加热其上述含有机薄膜之基板;(d)使用有机溶剂除去上述之有机薄膜;(e)进行晶片封装与测试。2.如申请专利范围第1项所述的保存方法,其中所述之有机薄膜,其材质系使用聚碳酸酯(ploycarbonate;PC)。3.如申请专利范围第1项所述的保存方法,其中所述之有机薄膜,其材质系使用聚苯乙烯(ploystyrene;PS)。4.如申请专利范围第1项所述的保存方法,其中所述之有机薄膜,其材质系使用聚烯烃(ployolenn;PO)。5.如申请专利范围第1项所述的保存方法,其中所述之有机薄膜,其材质系使用聚氯二甲苯(ployphenylene ox ide;PPO)。6.如申请专利范围第1项所述的保存方法,其中所述之有机薄膜,其材质系使用压克力(ploymethyl me thacrylate;PMMA)。7.如申请专利范围第1项所述的保存方法,其中所述之形成一有机薄膜,系使用旋转涂布(spin coating)的方式。8.如申请专利范围第1项所述的保存方法,其中所述之有机溶剂,系使用丙酮(aceton)。9.如申请专利范围第1项所述的保存方法,其中所述之有机溶剂,系使用氯仿(chloroforme)。10.如申请专利范围第1项所述的保存方法,其中所述之有机溶剂,系使用四氢喃(tetrahydrofuran;THF)。11.一种封装测试晶片的保存方法,系包括:(a)提供一封装测试晶片,形成保护层于所述之部份晶片上方;(b)形成一有机薄膜(polymer film)于所述封装测试晶片之表面。12.如申请专利范围第11项所述的保存方法,其中所述之有机薄膜,其材质系使用聚碳酸酯(ploycarbonate;PC)。13.如申请专利范围第11项所述的保存方法,其中所述之有机薄膜,其材质系使用聚苯乙烯(ploystyrenc;PS)。14.如申请专利范围第11项所述的保存方法,其中所述之有机薄膜,其材质系使用聚烯烃(ployolefin;PO)。15.如申请专利范围第11项所述的保存方法,其中所述之有机薄膜,其材质系使用聚氯二甲苯(ployphenylene oxide;PPO)。16.如申请专利范围第11项所述的保存方法,其中所述之有机薄膜,其材质系使用压克力(ploymethyl me thacrylate;PMMA)。17.如申请专利范围第11项所述的保存方法,其中所述之形成一有机薄膜,系使用旋转涂布(spin coating)的方式。18.如申请专利范围第11项所述的保存方法,其中上述之晶片在进行测试之前,使用有机溶剂将有机薄膜除去。19.如申请专利范围第18项所述的保存方法,其中所述之有机溶剂,系使用丙酮(aceton)。20.如申请专利范围第18项所述的保存方法,其中所述之有机溶剂,系使用氯仿(chloroforme)。21.如申请专利范围第18项所述的保存方法,其中所述之有机溶剂,系使用四氢喃(tetrahydrofuran;THF)。图式简单说明:第一图为习知技艺中封装材料测试之晶片剖面示意图。第二图A-第二图C为本发明中封装材料测试前,使用有机薄膜保护基板之剖面示意图。