| 主权项 |
1.一种用以作为半导体晶片化学机械研磨装置,其 步骤至 少包括: 将晶片装置于化学机械研磨机械装置之研磨平台; 一研磨头对准该化学机械研磨装置之研磨平台,以 研 磨该晶片; 在研磨后以溶液清洁该晶片;及 该研磨头对准该化学机械研磨装置之研磨平台,以 研 磨该晶片,藉此使研磨之酸硷效应减至最低。2.如 申请专利范围第1项之方法,其中上述该溶液至少 包 含去离子水。3.一种多段式化学机械研磨方法,用 以改善钨化学机械研 磨制程,其步骤至少包括: 将一半导体晶片装置于化学机械研磨机械装置之 第一 研磨平台; 一研磨头对准该化学机械研磨装置之第一研磨平 台, 以研磨该半导体晶片; 将该半导体晶片转移并装置于第二研磨平台; 该研磨头对准该化学机械研磨装置之第二研磨平 台, 以研磨该半导体晶片; 在研磨后以溶液清洁该半导体晶片; 将该半导体晶片转移并装置于第三研磨平台; 以溶液清洁该半导体晶片;及 该研磨头对准该化学机械研磨装置之第二研磨平 台, 以研磨该半导体晶片;藉此使研磨之研磨剂效应减 至最低 。4.如申请专利范围第3项之方法,其中上述在第二 研磨平 台研磨该半导体晶片之时间相当于在第三研磨平 台研磨该 半导体晶片之时间。5.如申请专利范围第3项之方 法,其中上述在第二研磨平 台清洗该半导体晶片之时间相当于在第三研磨平 台清洗该 半导体晶片之时间。6.如申请专利范围第3项之方 法,其中上述溶液至少包括 去离子水。7.如申请专利范围第3项之方法,其中上 述使用钨化学研 磨剂之钨薄膜厚度至少约2000 埃。8.如申请专利范 围第3项之方法,其中上述研磨残留之钨 薄膜须在第一研磨垫使用钨化学研磨剂研磨。9. 如申请专利范围第3项之方法,其中上述研磨残留 之钨 薄膜须在第二研磨垫使用钨化学研磨剂研磨。10. 如申请专利范围第3项之方法,其中上述研磨残留 之钨 薄膜须在第三研磨垫使用钨化学研磨剂研磨。11. 如申请专利范围第3项之方法,其中上述使用钨化 学研 磨剂研磨残留之钨薄膜厚度约200埃至500埃。12.如 申请专利范围第3项之方法,其中上述钨化学研磨 剂 与氧化学研磨剂之酸硷値相反。 |
