| 主权项 |
1.一种化学机械研磨焊垫,包括: 复数个环形状沟纹;以及 复数个依据一研磨液在该研磨焊垫上之一涡流与 一径流之流体方程式设计之流线沟纹。2.如申请 专利范围第1项所述之研磨焊垫,其中该流体方程 式为: =m.+k.ln(r); 其中,为流线函数、m为径流强度常数、k为涡流 强度常数、ln为自然对数、(r,)为座标 参数。3.如申请专利范围第2项所述之研磨焊垫,其 中依据该流体方程式得到一流线沟纹函数: r=C1.e-m theta/k; 其中,e为自然指数,C1为一常数ePsi/k,该流线沟纹系 依据该流线沟纹函数设计。4.如申请专利范围第1 项所述之研磨焊垫,其中更可利用Navier-Stokes方程 式与边界条件来 得到该流线沟纹之攻角与高度。5.如申请专利范 围第4项所述之研磨焊垫,其中该Navier-Stokes方程式 为: 其中,u,v,w为三相速度,为该研磨液之密度,v为动 黏滞系数,P为压力,(r,z)为座标参 数。6.如申请专利范围第5项所述之研磨焊垫,其中 该边界条件为: z=0, u=0, v=-r, w=0;;以及 z=∞, =0, v=0; 其中,为该研磨液之角速度。7.如申请专利范围 第6项所述之研磨焊垫,其中该流线沟纹之一原始 攻角方程式为: 其中, 0为该原始攻角,F、G为变数转换函数,系利用 下列变数转换而得: 其中,为该研磨液之一流体层厚度。8.如申请专 利范围第7项所述之研磨焊垫,其中该边界条件为: xi=0, F=0, G=-1, H=0, P=0;以及 xi=∞, F=0, G=0。9.一种化学机械研磨焊垫,包括: 复数个环形状沟纹;以及 复数个流线沟纹。10.如申请专利范围第9项所述之 研磨焊垫,其中该些流线沟纹系依据一研磨液在该 研磨焊垫 上之一涡流与一径流之流体方程式设计。11.一种 化学机械研磨制程,用以在一化学机械研磨机台上 将一晶片表面平坦化,该化学机 械研磨制程包括下列步骤: 以一研磨头负载该晶片,并使该晶片的表面朝下; 将一研磨液输入于该研磨机台上之一研磨焊垫;以 及 旋转该研磨头,用以进行化学机械研磨平坦化该晶 片; 其中,该研磨焊垫包括: 复数个环形状沟纹;以及 复数个流线沟纹。12.如申请专利范围第11项所述 之研磨焊垫,其中该些流线沟纹系依据一研磨液在 该研磨焊 垫上之一涡流与一径流之流体方程式设计。图式 简单说明: 第一图A-第一图C绘示乃传统化学机械研磨机台结 构图; 第二图绘示乃传统第一图B中之研磨焊垫的上视结 构图; 第三图绘示依照本发明一较佳实施例的一种化学 机械研磨焊垫之上视结构图;以及 第四图绘示依照本发明研磨焊垫之流线沟纹的原 始攻角示意图。 |
