| 主权项 |
1.一种备有光检测部之面发光型半导体雷射,其系 具有: 半导体基板; 分别被形成在上述半导体基板上之第1,第2领域的 第1导电型半导体层; 分别被积层在上述第1,第2领域之上述第1导电型半 导体层上的第2导电型半导体层;及 被形成在上述第1领域之上述第2导电型半导体层 上,朝与上述半导体基板呈垂直的方向射出 光的光共振器;其特征在于: 上述第1领域之上述第2导电型半导体层乃被形成 为1m以上的厚度,且当作用于对上述光共 振器注入电流的下部电极来使用, 在上述第2领域系藉由上述第1.第2导电型半导体层 构成光二极体,且在上述第2领域中用以 构成上述光二极体的上述第2导电型半导体层系形 成为未满1m之厚度。2.如申请专利范围第1项之 备有光检测部之面发光型半导体雷射,其中在上述 第1领域中的上 述第2导电型半导体层的厚度在5m以下。3.如申 请专利范围第2项之备有光检测部之面发光型半导 体雷射,其中上述第1以及第2领域 之上述第2导电型半导体层的载子浓度为51017-21 019cm-3。4.如申请专利范围第1项之备有光检测部之 面发光型半导体雷射,其中在上述第1领域中之上 述第2导电型半导体层的厚度为2-3m。5.如申请专 利范围第4项之备有光检测部之面发光型半导体雷 射,其中上述第1以及第2领域 的上述第2导电型半导体层的载子浓度为11018-11 019cm-3。6.如申请专利范围第1项之备有光检测部之 面发光型半导体雷射,其中在上述第2领域中的上 述第2导电型半导体层的厚度在0.8m以下。7.如申 请专利范围第1项之备有光检测部之面发光型半导 体雷射,其中在上述第2领域中的上 述第2导电型半导体层的厚度在0.5m以下。8.如申 请专利范围第1项至第7项之任一项之备有光检测 部之面发光型半导体雷射,其中上述 光共振器具有: 一对反射镜;及 被形成在上述一对反射镜之间,且至少包含活性层 及色覆层的多层半导体层; 上述多层半导体层之至少包含有上述包覆层的上 层侧系设计成呈柱状之柱状部分,在上述柱 状部分周围埋入形成绝缘层,在面临上述柱状部分 的端面另设有具有开口的上部电极,上述 一对反射镜中之光射出侧镜则形成覆盖上述开口 。9.如申请专利范围第8项之备有光检测部之面发 光型半导体雷射,其中 上述一对反射镜中,被形成在上述第2导电型半导 体层上的镜为半导体多层膜镜,上述光射 出侧镜为介电体多层膜镜, 被形成在上述一对反射镜之间的上述多层半导体 层包含: 被形成在上述半导体多层膜镜上的第1包覆层; 被形成在上述第1包覆层上之呈量子阱构造的活性 层; 被形成在上述活性层上的第2包覆层;及 被形成在上述第2包覆层上的接触层;而且 由上述第2包覆层及上述接触层构成上述柱状部分 。10.如申请专利范围第1项之备有光检测部之面发 光型半导体雷射,其中 上述第1领域之上述第1导电型半导体层与上述第2 领域之上述第1导电型半导体层呈电气绝缘 , 上述第1领域之上述第2导电型半导体层与上述第2 领域之上述第2导电型半导体层系呈电气绝 缘。图式简单说明: 第一图系表模式化地表示本创作之一实施例之备 有光检测部之面发光型半导体雷射之断 面的断面图。 第二图系表第一图所示之装置的概略立体图。 第三图A-第三图C系表分别用于说明第一图所示之 装置之制造过程的概略断面图。 第四图A-第四图C分别系表接着第三图A-第三图C之 过程而实施之制造过程的概略断面 图。 第五图A,第五图B分别系表接着第四图A-第四图C之 过程而实施之制造过程的概略断面 图。 第六图系表在第一图之装置中之光检测部之第2导 电型半导体层的厚度与光电流之关系 的特性图。 第七图系表作为第一图所示装置之磊晶层之成膜 装置之一例之MOVPE装置的概略断面图 。 第八图系表在利用第七图之装置来形成第2导电型 层以及下部镜之过程中之各层的反射 率随着时间而变化的特性图。 第九图系表在第八图中之第2导电型层的厚度与反 射率之关系的特性图。 第十图系表能够边进行蚀刻而边测量磊晶层之反 射率的RIBE装置的概略图。 第十一图系表在利用第十图之装置对下部镜以及 第2导电型层进行蚀刻时之各层的反射 率随着时间而变化的特性图。 第十二图系表利用第一图之装置之位置检测器的 检测原理的概略图。 第十三图系表利用第一图所示装置之压力检测器 的检测原理的概略图。 |
