| 主权项 |
1.一种电子零件,其特征为具有经由含有式1所示聚 合单位之含氰基氟系聚合物的氰基三聚 物化所取得之含有三环之氟系聚合物薄膜者' -[CF2-CF(A1)]- ……式1 [式1中,A1为-OR1CN、-CN或-R1 CN、R1为亦可含有醚键之 碳数1-15之聚氟伸烷基]。2.如申请专利范围第1项 之电子零件,其中含氰基氟系聚合物为含有平均4 个以上前述式1所 示之聚合单位。3.如申请专利范围第1或2项之电子 零件,其中含氰基氟系聚合物之两末端的至少1末 端为可 含有醚键之聚氟烷基。4.如申请专利范围第1或2项 之电子零件,其中含氰基氟系聚合物为含有平均4 个以上前述式1 所示之聚合单位,且在对100莫耳式2所示乙烯基化 合物可含有醚键之含有聚氟烷基自由基发 生源之比例为0.01-10莫耳之自由基发生源存在下, 聚合式2所示乙烯基化合物所得者, CF2=CF(A1) ……式2 [式2中,A1为-OR1CN、-CN或-R1 CN、R1为方可含有醚键之 碳数1-15之聚氟伸烷基]。5.一种预浸渍体,其为将 含有式1所示聚合单位之含氰基氟系聚合物于增强 材料中浸渍而成 , -[CF2-CF(A1)]- ……式1 [式1中,A1为-OR1CN、-CN或-R1 CN、R1系可含有醚键之碳 数1-15之聚氟伸烷基]。6.如申请专利范围第3项之 电子零件,其中含氰基氟系聚合物为含有平均4个 以上前述式1所 示之聚合单位,且在对100莫耳式2所示乙烯基化含 物可含有醚键之含有聚氟烷基自由基发生 源之比例为0.01-10莫耳之自由基发生源存在下,聚 合式2所示乙烯基化含物所得者, (CF2=CF(A1) ……式2 [式2中,A1为-OR1CN、-CN或-R1CN、R1 为亦可含有醚键之碳数1-15 之聚氟伸烷基]。 |
