| 主权项 |
1.一种液晶显示器之反射电极的制造方法,包括: 提供一基板; 于该基板上形成图案化之堆叠层,以形成复数个堆 叠凸点; 于该基板上覆盖至少一共形之绝缘层,以在对应于 该些堆叠凸点之位置形成复数个凸点;以 及 于该绝缘层上形成一共形之反射电极,以在对应于 该些堆叠凸点之位置形成复数个凸点。2.如申请 专利范围第1项所述之方法,其中该些堆叠凸点包 括由下而上堆叠之铬层、氮化矽 层与铬层。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其 中该些堆叠凸点之分布包括不规则之散状分布。4 .如申请专利范围第1项所述之方法,其中该绝缘层 包括依序形成之一氮化矽层与一有机绝 缘层。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该 有机绝缘层包括聚亚醯胺。6.如申请专利范围第1 项所述之方法,其中该反射电极之该些凸点的形状 包括半球形。7.如申请专利范围第1项所述之方法, 其中该反射电极之材质包括铝。8.如申请专利范 围第1项所述之方法,其中该反射电极之材质包括 银。9.一种液晶显示器元件之制造方法,包括: 提供一基板,该基板上至少包括一主动元件区域与 一反射电极区域; 于该主动元件区域上形成一薄膜电晶体,同时于该 反射电极区域形成复数个堆叠凸点; 于该基板上覆盖至少一共形之绝缘层,藉以在对应 于该些堆叠凸点之位置形成复数个凸点; 于该绝缘层中形成一接触窗开口,以暴露部分该薄 膜电晶体;以及 于该反射电极区域及部分该主动元件区域之绝缘 层上形成一共形之反射电极,以在对应于该 些堆叠凸点之位置形成复数个凸点,且该反射电极 填满该接触窗开口,与该薄膜电晶体电性 连接。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中 该薄膜电晶体包括非晶矽薄膜电晶体。11.如申请 专利范围第9项所述之方法,其中该些堆叠凸点包 括由下而上堆叠之铬层、氮化矽 层与铬层。12.如中话专利范围第9项所述之方法, 其中该些堆叠凸点包括由下而上堆叠之铬层与铬 层。13.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该 些堆叠凸点之分布包括不规则之散状分布。14.如 申请专利范围第9项所述之方法,其中该绝缘层包 括依序形成之一氮化矽层与一有机绝 缘层。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中 该有机绝缘层包括聚亚醯胺。16.如申请专利范围 第9项所述之方法,其中该反射电极之该些凸点的 形状包括半球形。17.如申请专利范围第9项所述之 方法,其中该接触窗开口暴露之部分该薄膜电晶体 包括一汲 极区。18.如申请专利范围第9项所述之方法,其中 该反射电极之材质包括铝。19.如申请专利范围第9 项所述之方法,其中该反射电极之材质包括银。20. 一种液晶显示器元件之制造方法,包括: 提供一基板,该基板上至少包括一主动元件区域与 一反射电极区域; 于该主动元件区域形成一闸极导电层,同时于该反 射电极区域形成一图案化之第一导电层; 于该闸极导电层上形成一闸极绝缘层,同时于该第 一导电层上形成一第一绝缘层; 于该闸极绝缘层上依序形成一非晶矽层与一掺杂 非晶矽层; 于该掺杂非晶矽层上形成一源极与一汲极,并且去 除该源极与该汲极之间的该掺杂非晶矽层 ,以形成一薄膜电晶体,同时于该第一绝缘层上形 成一第二导电层,以形成复数个堆叠凸点 ; 于该基板上覆盖至少一共形之第二绝缘层,藉以在 对应于该些堆叠凸点之位置形成复数个凸 点; 于该绝缘层中形成一接触窗开口,以暴露部分该汲 极;以及 于该反射电极区域及部分该主动元件区域之绝缘 层上形成一共形之反射电极,以在对应于该 些堆叠凸点之位置形成复数个凸点,且该反射电极 填满该接触窗开口,与该汲极电性连接。21.如申请 专利范围第20项所述之方法,其中该闸极导电层与 该些第一导电层包括铬层。22.如申请专利范围第 20项所述之方法,其中该闸极绝缘层与该些第一绝 缘层包括氮化矽层 。23.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该源 极与该汲极,以及该些第二导电层包括铬 层。24.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该 些堆叠凸点之分布包括不规则之散状分布。25.如 申请专利范围第20项所述之方法,其中该第二绝缘 层包括依序形成之一氮化矽层与一 有机绝缘层。26.如申请专利范围第25项所述之方 法,其中该有机绝缘层包括聚亚醯胺。27.如申请专 利范围第20项所述之方法,其中该反射电极之该些 凸点的形状包括半球形。28.如申请专利范围第20 项所述之方法,其中该反射电极之材质包括铝。29. 如申请专利范围第20项所述之方法,其中该反射电 极之材质包括银。图式简单说明: 第一图A至第一图D是绘示习知一种液晶显示器之 反射电极的制程剖面示意图; 第二图是绘示本发明较佳实施例之薄膜电晶体与 堆叠凸点的平面图; 第三图是绘示本发明较佳实施例之反射电极的平 面图;以及 第四图A至第四图E是绘示第三图中I-I剖面之制程 剖面示意图。 |
