Nichtflüchtige Halbleiter-Speicherzelle und Verfahren zu deren Herstellung

摘要

Die Erfindung betrifft eine nichtflüchtige Halbleiter-Speicherzelle und ein dazugehöriges Verfahren, bei dem eine herkömmliche dielektrische ONO-Schicht (10) durch eine sehr dünne Metalloxidschicht (6) aus WO¶x¶ und/oder TiO¶2¶ ersetzt wird. Aufgrund der hohen relativen Dielektrizitätskonstante dieser Materialien ergibt sich eine weitere Verbesserung der Integrationsdichte sowie der für die Halbleiter-Speicherzelle notwendigen Steuerspannungen.