| 摘要 |
<p>In einem Halbleitersubstrat (11, 21, 31) sind zwei Source-/Draingebiete (12, 22, 32) und ein dazwischen angeordneter Kanalbereich vorgesehen. An der Oberfläche des Kanalbereichs ist ein Gatedielektrikum angeordnet, das eine dielektrische Zwischenschicht (13, 23, 33) und eine dielektrische Struktur (14, 24, 34) umfaßt. Die dielektrische Struktur (14, 24, 34) grenzt an mindestens einer einem der Source-/Draingebiete (12, 22, 32) zugewandten Seite an die dielektrische Zwischenschicht (13, 23, 33) an und bewirkt, daß die Dicke des Gatedielektrikums oberhalb des Randes des Source-/Draingebietes größer als die Dicke der dielektrischen Zwischenschicht ist.</p> |
