发明名称 SEMI CONDUCTEUR LASER WITH TEMPERATURE INDEPENDANT PERFORMANCES
摘要 <p>Diode lasers are fabricated whose performance is essentially unchanged over designed temperature and bias ranges. The threshold current (Ith) and the external efficiency (θext) of the diode lasers are unchanged over a range of specified temperatures.</p>
申请公布号 WO2000077896(A1) 申请公布日期 2000.12.21
申请号 US2000016042 申请日期 2000.06.09
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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