| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine Anordnung von Fuses bei Halbleiterstrukturen mit Cu-Metallisierung, bei denen auf der obersten Leitbahnebene eine Al-Metallschicht für Al-Bondpads angeordnet ist. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Fuses als Al-Fuses (1) ausgebildet sind und bei der Cu-Metallisierungsebenen (2) aufweisenden Halbleiterstruktur über der Diffusionsbarriere der obersten Cu-Metallisierungsebene (2) und unter der Passivierungsschicht (4) angeordnet sind.</p> |
