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发明名称 METHOD FOR PRODUCING A MOS TRANSISTOR MEMORY CELL
摘要
申请公布号 EP1060519(A1) 申请公布日期 2000.12.20
申请号 EP19980966780 申请日期 1998.12.17
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 HOFMANN, FRANZ;WILLER, JOSEF
分类号 H01L29/43;H01L21/336;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/788;H01L21/28;H01L21/824 主分类号 H01L29/43
代理机构 代理人
主权项
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