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发明名称 Process improvements in self-aligned polysilicon mosfet technology using silicon oxynitride
摘要
申请公布号 SG77152(A1) 申请公布日期 2000.12.19
申请号 SG19980000057 申请日期 1998.01.06
申请人 CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD. 发明人 SHENG ZHOU MEI;TAN KOON LAY DENISE;LOONG SHEAU-TAN;LI JIANXUN;SHIU WING HONG;TANG-KOK HIANG STEPANIE
分类号 H01L21/8247;(IPC1-7):H01L21/824 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
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