METHOD FOR FABRICATING MOS TRANSISTOR,申请号KR19980047298-传众专利搜索

发明名称	METHOD FOR FABRICATING MOS TRANSISTOR
摘要
申请公布号	KR100273319(B1)	申请公布日期	2000.12.15
申请号	KR19980047298	申请日期	1998.11.05
申请人	HYUNDAI MICRO ELECTRONICS CO., LTD.	发明人	PARK, JUNG-SOO
分类号	H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/336	主分类号	H01L21/336
代理机构		代理人
主权项
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