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发明名称 PASSIVATION CAPPING LAYER FOR OHMIC CONTACT IN II-VI SEMICONDUCTOR LIGHT TRANSDUCING DEVICE
摘要
申请公布号 KR20000075524(A) 申请公布日期 2000.12.15
申请号 KR1019997007583 申请日期 1999.08.20
申请人 发明人
分类号 H01L33/00;H01S5/30 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项
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