| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine nichtflüchtige Halbleiter-Speicherzelle und ein dazugehöriges Verfahren, bei dem eine herkömmliche dielektrische ONO-Schicht (10) durch eine sehr dünne Metalloxidschicht (6) aus WOx und/oder TiO2 ersetzt wird. Aufgrund der hohen relativen Dielektrizitätskonstante dieser Materialien ergibt sich eine weitere Verbesserung der Integrationsdichte sowie der für die Halbleiter-Speicherzelle notwendigen Steuerspannungen.</p> |
