| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft einen Thyristor bestehend aus einem Halbleiterkörper (1) mit einer anodenseitigen Basiszone (2) von einem ersten Leitungstyp und einer kathodenseitigen Basiszone (3) von dem zweiten entgegengesetzten Leitungstyp sowie mit kathodenseitigen und anodenseitigen Emitterzonen (4, 5). Damit der Thyristor bereits innerhalb der Freiwerdezeit wieder mit einem Spannungsstoß belastet werden kann, ohne dabei durch eine in der Kathodenfläche auftretende Stromfilamentierung zerstört zu werden, wird eine anodenseitige Defektzone (10) mit verminderter Lebensdauer der freien Ladungsträger mit einer vorgegebenen Dicke von mindestens 20 νm innerhalb der anodenseitigen Basiszone (2) vorgeschlagen. Die Defektzone (10) kann durch anodenseitige Bestrahlung von vorgegebenen Bereichen des Halbleiterkörpers (1) mit geladenen Teilchen und Temperung des Halbleiterkörpers (1) zur Stabilisierung der Defektzone (10) hergestellt werden.</p> |
