| 发明名称 | 声表面波器件及其基片 | ||
| 摘要 | 一种电气机械耦合系数大和SAW速度低的声表面波器件的压电基片,和利用该基片的声表面波器件,使用属于点族32和晶体结构Ca<SUB>3</SUB>Ga<SUB>2</SUB>Ce<SUB>4</SUB>O<SUB>14</SUB>的单晶,基本成分可用化学式La<SUB>3-x</SUB>Sr<SUB>x</SUB>Ta<SUB>0.5+0.5x</SUB>Ga<SUB>5.5-0.5x</SUB>O<SUB>14</SUB>表示。Sr的成分比在0<x≤0.15范围内。 还提供一种声表面波器件,叉指式指形电极作在基片的一主要表面上。当从单晶上切下来的基片的切割角度和表面声波的传播方向用欧拉角度(Φ,θ,ψ)表示时,选择这些角度,可得到适当的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1276649A | 申请公布日期 | 2000.12.13 |
| 申请号 | CN00117890.3 | 申请日期 | 2000.06.02 |
| 申请人 | TDK股份有限公司 | 发明人 | 井上宪司;福田承生;佐藤胜男;守越広树;川嵜克己;内田清志 |
| 分类号 | H03H9/64;H03H9/25;H03H9/17 | 主分类号 | H03H9/64 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种声表面波器件的基片，该基片包括一个属于点族32、具有Ca3Ga2Ge4O14型晶体结构的单晶，其中，所述单晶的基本成分可用下列化学式表示：La3-xSrxTa0.5+0.5xGa5.5-0.5xO14。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||