发明名称 充电测定装置
摘要 提供可以模拟地并且按高精度测定基片充电的充电测定装置。该充电测定装置20包括排列在与离子束12交叉的面上并接受离子束12的多个测定导体22、与各测定导体22分别连接的多个双向稳压元件28、和分别测定流过各双向稳压元件28电流I的极性和大小的多个电流测定器30。
申请公布号 CN1276625A 申请公布日期 2000.12.13
申请号 CN00118812.7 申请日期 2000.04.26
申请人 日新电机株式会社 发明人 酒井滋树
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 叶恺东
主权项 1.一种充电测定装置,用于在基片上照射离子束的离子束照射装置,其特征在于,包括排列在与所述离子束交叉的面上并接受所述离子束的多个测定导体、分别与各测定导体连接的多个双向稳压元件、和分别测定流过各双向稳压元件的电流的极性和大小的电流测定器。
地址 日本京都府