发明名称 侦测半导体制程气体中金属杂质之方法
摘要 侦测半导体制程气体中金属杂质的一种方法;其中藉由取样接近大气压的气体,取样装置和取样管线之间的冗余阀门,及其蓬盖的安装,其中蓬盖中的气体被不间断地排出该洁净室,可以减少进入洁净室的样本气体的渗漏。较佳的是,藉由ICPAES(电感耦合电浆原子发射光谱分析法),ICPMS(电感耦合电浆质谱分析法),或GFAAS(石墨炉原子吸收光谱法),可以检测出该取样管线和取样装置中的聚四氟乙烯成分,减少取样装置对不含金属的外部装置的金属污染。
申请公布号 TW414990 申请公布日期 2000.12.11
申请号 TW087110236 申请日期 1998.06.25
申请人 液态空气乔治斯克劳帝方法研究开发股份有限公司 发明人 樽谷浩平;铃木逸子
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 林镒珠 台北市长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种检测一种气体或气体混合物中的金属杂质的方法,此种气体或气体混合物在具有为此气体或气体混合物出入的一个入口和一个出口的机器中被用作为制程气体,其包括步骤:(1)通过一非金属材料管道,从靠近该机器的出口和入口中的至少一个地方移出该气体或气体混合物;(2)通过该非金属材料管道引导该气体或气体混合物进入一个取样装置,以进一步分析和检测金属杂质,该取样装置密封于一个与该机器隔离且不间断循环的气态环境中;和(3)不间断地局部移动密封该机器的剩余气体,该移动的气体与该机器隔离而排出。2.如申请专利范围第1项的方法,其中该机器为半导体制造的生产机器。3.如申请专利范围第2项的方法,其中该机器位于一个洁净室内。4.如申请专利范围第3项的方法,其中步骤(3)中该被移出的气体系被移出该洁净室。5.如申请专利范围第1至4项中的任一项之方法,其中该取样装置被一个密闭该气态环境的蓬盖包围。6.如申请专利范围第1至4项中的任一项之方法,其中该非金属材料管道包括聚四氟乙烯。7.如申请专利范围第1至4项中的任一项之方法,其中该取样装置包括聚四氟乙烯。8.如申请专利范围第1至4项中的任一项之方法,其中被引导进入该取样装置的该气体或气体混合物的气压大约为大气压。9.如申请专利范围第1至4项中的任一项之方法,其中进一步包括步骤:首先从一个取样装置中将该气体或气体混合物引导进入该管道;和然后在实际分析该气体或气体混合物之前,排出该最初的气体或气体混合物,至少进行五分钟。10.如申请专利范围第1至4项中的任一项之方法,其中进一步包括用滤过的氮气净化该取样装置之步骤,该滤过的氮气含有少于大约10ppt的金属杂质量。图式简单说明:第一图是依据本发明的取样装置的一个实例。
地址 法国