| 主权项 |
1.一种以金属镶嵌形成内连线的方法,包括下列步骤:提供一基底结构;于该基底结构上形成一绝缘层;于该绝缘层中形成一第一沟渠,且暴露出该基底结构的表面;于该第一沟渠中形成一第一导线,该第一导线填入部份的该沟渠;于该第一导线上形成一插塞,且填满该第一沟渠,其中该插塞与该第一导线电性耦接;于该绝缘层中形成一第二沟渠,且暴露出部份的该插塞;以及于该第二沟渠中形成一第二导线,且填满该第二沟渠,其中该第二导线与该插塞电性耦接。2.如申请专利范围第1项所述之以金属镶嵌形成内连线的方法,其中该绝缘层包括氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之以金属镶嵌形成内连线的方法,其中该绝缘层的高度约与后续形成之该第一导线和该插塞的高度总和相等。4.如申请专利范围第1项所述之以金属镶嵌形成内连线的方法,其中形成该第一导线的方法包括:于该绝缘层上形成一导电层,且至少填满该第一沟渠;以及对该导电层进行一回蚀刻步骤,而在该第一沟渠中形成该第一导线。5.如申请专利范围第1项所述之以金属镶嵌形成内连线的方法,其中该第一导线的材料包括铜、铝和铝铜合金其中之一。6.如申请专利范围第1项所述之以金属镶嵌形成内连线的方法,其中该插塞的材料包括钨金属。7.如申请专利范围第1项所述之以金属镶嵌形成内连线的方法,其中形成该插塞更包括形成与该第一沟渠共形的一黏着/阻障层:8.如申请专利范围第7项所述之以金属镶嵌形成内连线的方法,其中该黏着/阻障层包括钛/氮化钛和钽/氮化钽其中之一。9.如申请专利范围第1项所述之以金属镶嵌形成内连线的方法,其中该第二导线的材料包括铜、铝和铝铜合金其中之一。10.如申请专利范围第1项所述之以金属镶嵌形成内连线的方法,其中形成该第二导线的方法包括:于该绝缘层上形成一导电层,且至少填满该第二沟渠;以及进行一化学机械研磨法,以移除该绝缘层上过剩的该导电层,直到暴露出该绝缘层的表面,且在该第二沟渠中形成该第二导线。11.一种以金属镶嵌形成内连线的方法,其中包括下列步骤:提供一基底结构;于该基底结构上形成一第一绝缘层;于该第一绝缘层中形成一第一沟渠和一第二沟渠,且暴露出该基底结构的表面;同时于该第一沟渠和该第二沟渠中形成一第一导线和一第二导线,该第一导线和该第二导线分别填入部份的该第一沟渠和部份的该第二沟渠;同时于该第一导线和该第二导线上形成一第一插塞和一第二插塞,且分别填满该第一沟渠和该第二满渠,其中该第一插塞和该第二插塞分别与该第一导线和该第二导线电性耦接;于该第一插塞上覆盖一罩幕层,且暴露出该第二插塞;移除该第二插塞,直到暴露出该第二导线;去除该罩幕层,且在该第二导线上形成一第二绝缘层,其中该第二绝缘层至少填满该第二沟渠;于该第一绝缘层中形成一第三沟渠,且暴露出部份的该第一插塞;以及于该第三沟渠中形成一第三导线,且填满该第三沟渠,其中该第三导线与该第一插塞电性耦接。12.如申请专利范围第11项所述之以金属镶嵌形成内连线的方法,其中该第一绝缘层包括氧化矽层。13.如申请专利范围第11项所述之以金属镶嵌形成内连线的方法,其中该第一绝缘层的高度约与后续形成之该第一导线和该第一插塞的高度总和相等。14.如申请专利范围第11项所述之以金属镶嵌形成内连线的方法,其中形成该第一导线和该第二导线的方法包括:于该第一绝缘层上形成一导电层,且至少填满该第一沟渠和该第二沟渠;以及对该导电层进行一回蚀刻步骤,而在该第一沟渠和该第二沟渠中分别形成该第一导线和该第二导线。15.如申请专利范围第11项所述之以金属镶嵌形成内连线的方法,其中该第一导线和该第二导线的材料包括铜、铝和铝铜合金其中之一。16.如申请专利范围第11项所述之以金属镶嵌形成内连线的方法,其中该第一插塞和该第二插塞的材料包括钨金属。17.如申请专利范围第11项所述之以金属镶嵌形成内连线的方法,其中形成该第一插塞和该第二插塞更包括形成与该第一沟渠和该第二沟渠共形的一黏着/阻障层。18.如申请专利范围第17项所述之以金属镶嵌形成内连线的方法,其中该黏着/阻障层包括钛/氮化钛和钽/氮化钽其中之一。19.如申请专利范围第11项所述之以金属镶嵌形成内连线的方法,其中该第三导线的材料包括铜、铝和铝铜合金其中之一。20.如申请专利范围第11项所述之以金属镶嵌形成内连线的方法,其中形成该第三导线的方法包括:于该第一绝缘层上形成一导电层,且至少填满该第三沟渠;以及进行一化学机械研磨法,以移除该第一绝缘层上过剩的该导电层,直到暴露出该第一绝缘层的表面,且在该第三沟渠中形成该第三导线。图式简单说明:第一图A至第一图H系绘示传统式的剖面示意图;以及第二图A至第二图H系绘示根据本发明之一较佳实施例,一种以金属镶嵌形成内连线之制造流程的剖面示意图。 |
