| 主权项 |
1.一种接触窗的制造方法,包括下列步骤:提供一已形成元件的半导体基底,并在该半导体基底上形成一导线;在该导线上形成一金属间介电层,包括依序形成一第一绝缘层、一作为平坦化的旋覆式玻璃层与一第二绝缘层;在该金属间介电层上定义出一接触窗图案;并进行一离子植入制程,使该植入的离子布植于该旋覆式玻璃层中;蚀刻该金属间介电层,包括依序蚀刻该第二绝缘层、该旋覆式玻璃层与该第一绝缘层,以形成一露出该导线的接触窗。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该半导体基底例如为一矽基底。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该导线包括一铝金属。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该第一绝缘层系由化学气相沈积法所形成的氧化层。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该旋覆玻璃层系由涂布法所形成的氧化层。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该第二绝缘层系由化学气相沈积法所形成的氧化层。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中植入该离子时,系藉由旋转及倾斜该金属间介电层,使该植入的离子呈锥状的分布,即植入该旋覆式玻璃层之该离子的布植面,较该接触窗的大小来得大。图式简单说明:第一图a-第一图d绘示习知一种利用离子植入法,所形成积体电路接触窗的制程剖面图;以及第二图a-第二图d绘示根据本发明之较佳实施例,一种接触窗的制程剖面图。 |
