发明名称 旁热型阴极及使用该阴极之阴极射线管
摘要 [课题]提供一种旁热型阴极,能实现稳定的生产,即使在阴极射线管的实际使用动作时亦不致产生氧化铝电绝缘层的裂痕或加热器变形,能使加热器的寿命延长,并提供使用该阴极之阴极射线管。[解决方法]一种旁热型阴极8,系包含:于金属线14表面将氧化铝粒子被覆烧成以形成氧化铝电绝缘层之加热用加热器13,以及接受来自前述加热用加热器13的热以放出热电子之阴极9;前述氧化铝电绝缘层的氧化铝纯度为99.7重量%以上,且为形成前述氧化铝电绝缘层的氧化铝粒子中,粒径2μm以下者的Na含有量为20ppm以下,或为形成前述氧化铝电绝缘层的氧化铝粒子之Si含有量为100ppm以下;以及使用该阴极8之阴极射线管。
申请公布号 TW414909 申请公布日期 2000.12.11
申请号 TW088100320 申请日期 1999.01.11
申请人 松下电子工业股份有限公司 发明人 山本洋二;川崎 正树;古志野英夫;中井纯也;清水哲也
分类号 H01J29/04 主分类号 H01J29/04
代理机构 代理人 林镒珠 台北市长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种旁热型阴极,系包含:于金属线表面将氧化铝粒子被覆烧成以形成氧化铝电绝缘层之加热用加热器,以及接受来自前述加热用加热器的热以放出热电子之电子放射部;其特征在于:前述氧化铝电绝缘层的氧化铝纯度为99.7重量%以上,且为形成前述氧化铝电绝缘层的氧化铝粒子中,粒径2m以下者的Na含有量为20ppm以下。2.如申请专利范围第1项之旁热型阴极,其中,前述氧化铝粒子中,粒径2m以下者占前述氧化铝粒子全体的比例为10-50重量%。3.如申请专利范围第1项之旁热型阴极,其中,前述电子放射部系由氧化物阴极材料构成。4.如申请专利范围第1项之旁热型阴极,其中,为形成前述电绝缘层之氧化铝粒子中,粒径2m以下者占前述氧化铝粒子全体比例为10-40重量%,粒径5-20m者占前述氧化铝粒子全体比例为40-70重量%,且粒径20m以上者,占前述氧化铝粒子全体比例为10重量%以下。5.如申请专利范围第1项之旁热型阴极,其中,前述电子放射部系由含浸型阴极材料构成。6.如申请专利范围第1项之旁热型阴极,其中,前述电绝缘层全体的氧化铝粒子之Na含有量系20ppm以下。7.如申请专利范围第1项之旁热型阴极,其中,前述电绝缘层全体的氧化铝粒子之Si含有量系100ppm以下。8.一种阴极射线管,系包含:内面具萤光面之面板部,粘着于面板部后方之玻锥部,形成于玻锥部后方之内部具电子束放射用的电子枪之颈部;其特征在于:前述电子枪具备旁热型阴极,该阴极包含:于金属线表面将氧化铝粒子被覆烧成以形成氧化铝电绝缘层之加热用加热器,以及接受来自前述加热用加热器的热以放出热电子之电子放射部;前述氧化铝电绝缘层的氧化铝纯度为99.7重量%以上,且为形成前述氧化铝电绝缘层的氧化铝粒子中,粒径2m以下者的Na含有量为20ppm以下。9.如申请专利范围第8项之阴极射线管,其中,前述氧化铝粒子中,粒径2m以下者占前述氧化铝粒子全体的比例为10-50重量%。10.如申请专利范围第8项之阴极射线管,其中,前述电子放射部系由氧化物阴极材料构成。11.如申请专利范围第8项之阴极射线管,其中,为形成前述电绝缘层之氧化铝粒子中,粒径2m以下者占前述氧化铝粒子全体比例为10-40重量%,粒径5-20m者占前述氧化铝粒子全体比例为40-70重量%,且粒径20m以上者,占前述氧化铝粒子全体比例为10重量%以下。12.如申请专利范围第8项之阴极射线管,其中,前述电子放射部系由含浸型阴极材料构成。13.如申请专利范围第8项之阴极射线管,其中,前述电绝缘层全体的氧化铝粒子之Na含有量系20ppm以下。14.如申请专利范围第8项之阴极射线管,其中,前述电绝缘层全体的氧化铝粒子之Si含有量系100ppm以下。15.一种旁热型阴极,系包含:于金属线表面将氧化铝粒子被覆烧成以形成氧化铝电绝缘层之加热用加热器,以及接受来自前述加热用加热器的热以放出热电子之电子放射部;其特征在于:前述氧化铝电绝缘层的氧化铝纯度为99.7重量%以上,且为形成前述氧化铝电绝缘层的氧化铝粒子之Si含有量系100ppm。16.如申请专利范围第15项之旁热型阴极,其中,前述氧化铝粒子中,粒径2m以下者,占前述氧化铝粒子全体的比例为10-50重量%。17.如申请专利范围第15项之旁热型阴极,其中,前述电子放射部系由氧化物阴极材料构成。18.如申请专利范围第15项之旁热型阴极,其中,为形成前述电绝缘层之氧化铝粒子中,粒径2m以下者占前述氧化铝粒子全体比例为10-40重量%,粒径5-20m者占前述氧化铝粒子全体比例为40-70重量%,且粒径20m以上者,占前述氧化铝粒子全体比例为10重量%以下。19.如申请专利范围第15项之旁热型阴极,其中,前述电子放射部系由含浸型阴极材料构成。20.如申请专利范围第15项之旁热型阴极,其中,前述电绝缘层全体的氧化铝粒子之Na含有量系20ppm以下。21.如申请专利范围第20项之旁热型阴极,其中,前述电绝缘层全体的氧化铝粒子中,粒径2m以下者之Na含有量系20ppm以下。22.一种阴极射线管,系包含:内面具萤光面之面板部,粘着于面板部后方之玻锥部,形成于玻锥部后方之内部具电子束放射用的电子枪之颈部;其特征在于:前述电子枪具备旁热型阴极,该阴极包含:于金属线表面将氧化铝粒子被覆烧成以形成氧化铝电绝缘层之加热用加热器,以及接受来自前述加热用加热器的热以放出热电子之电子放射部;前述氧化铝电绝缘层的氧化铝纯度为99.7重量%以上,且为形成前述氧化铝电绝缘层的氧化铝粒子之Si含有量为100ppm以下。23.如申请专利范围第22项之阴极射线管,其中,前述氧化铝粒子中,粒径2m以下者占前述氧化铝粒子全体的比例为10-50重量%。24.如申请专利范围第22项之阴极射线管,其中,前述电子放射部系由氧化物阴极材料构成。25.如申请专利范围第22项之阴极射线管,其中,为形成前述电绝缘层之氧化铝粒子中,粒径2m以下者占前述氧化铝粒子全体比例为10-40重量%,粒径5-20m者占前述氧化铝粒子全体比例为40-70重量%,且粒径20m以上者,占前述氧化铝粒子全体比例为10重量%以下。26.如申请专利范围第22项之阴极射线管,其中,前述电子放射部系由含浸型阴极材料构成。27.如申请专利范围第22项之阴极射线管,其中,前述电绝缘层全体的氧化铝粒子之Na含有量系20ppm以下。28.如申请专利范围第27项之阴极射线管,其中,前述电绝缘层全体的氧化铝粒子中,粒径2m以下者的Na含有量系20ppm以下。图式简单说明:第一图系显示本发明的一实施例之旁热型阴极的部分截图。第二图系第一图的X部分之扩大图。第三图系组装本发明的一实施例之旁热型阴极之阴极射线管的截面图。第四图系显示本发明的一实施例之氧化物阴极中粒径2m以下的氧化铝粒子比例和制造不良率的关系图。第五图系显示本发明的一实施例之粒径2m以下的氧化铝粒子比例和加热器变形量的关系图。第六图系显示本发明的一实施例之含浸型阴极中粒径2m以下的氧化铝粒子比例和制造不良率的关系图。第七图系显示本发明的一实施例之粒径2m以下的氧化铝粒子比例和加热器变形量的关系图。第八图系显示本发明的实施形态2之粒径2m以下的氧化铝粒子比例和制造不良率的关系图。第九图系显示本发明的实施形态2之粒径2m以下的氧化铝粒子比例和加热器变形量的关系图。第十图系习知的旁热型阴极的部分截面图。
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