| 主权项 |
1.一种基板加热装置,其特征在于:具有热板:加热被处理基板;基板保持机构:在此热板上保持被处理基板;气流产生机构:使前述热板上空的气流沿着热板表面在一方向产生;及,发热机构:设于前述热板上,包含第一发热结构部及第二发热结构部;该第一发热结构部:配置环状发热部;该第二发热结构部:配置于第一发热结构部内侧,以使在气流上游侧的发热量比在气流下游侧的发热量多之方式构成者。2.一种基板加热装置,其特征在于:具有热板:加热被处理基板;基板保持机构:在此热板上保持被处理基板;气流产生机构:使前述热板上空的气流沿着热板表面在一方向产生;及,发热机构:设于前述热板上,包含第一发热结构部及第二发热结构部,该第一发热结构部:配置环状发热部;该第二发热结构部:从气流上游侧向气流下游侧配置多数发热部者。3.如申请专利范围第1或2项之基板加热装置,其中前述基板保持机构构成如下:所保持的被处理基板中心比由前述环状发热部构成的第一发热结构部中心成为气流下游侧。4.一种基板加热方法,其特征在于:使用申请专利范围第1或2项所载之基板加热装置,使为前述发热机构所加热的热板温度比气流上游侧在气流下游侧变低而加热保持于前述热板上的被处理基板者。5.一种基板加热方法,其特征在于:使用申请专利范围第1或2项所载之基板加热装置,使为前述发热机构所加热的热板温度在该热板上载置被处理基板之前成为比被处理基板处理温度高的预定温度,在该热板上载置被处理基板之后比前述预定温度低者。6.如申请专利范围第4或5项之基板加热方法,其中根据设于被处理基板上空的温度测量机构的测量结果设定前述发热机构的发热量。7.如申请专利范围第6项之基板加热方法,其中前述温度测量机构包含光照射部:在被处理基板表面照射光;及,反射光测量部:测量由此光照射部所照射的光来自被处理基板的反射光强度,从基于以反射光测量部测量的被处理基板表面的表面材料的膜厚变动或吸光度变动的反射率变化求出该表面材料的反应量,藉由使该反应量成为预定反应量的方式进行控制,设定前述发热机构的发热量。8.一种基板加热方法,其特征在于:使用申请专利范围第1或2项所载之基板加热装置,以前述发热机构进行载置于前述热板上的被处理基板加热处理后,以基板升降机构举起被处理基板,使被处理基板倾斜而放置者。9.一种基板处理方法,其特征在于:具有一面使形成于被处理基板上的感光性膜向预定方向移动转印区域,一面曝光而转印图案的制程;在热板上保持将图案转印于此感光性膜的被处理基板的制程;及,如使保持于此热板上的被处理基板以与使前述感光性膜转印区域移动的方向对应而产生温度分布之方式予以加热的制程者。10.如申请专利范围第9项之基板处理方法,其中将前述被处理基板以使感光性膜转印区域的方向对应而产生温度分布之方式予以加热的制程系:加热前述热板,同时从前述感光性膜最初曝光的区域向最后曝光的区域使前述被处理基板上空产生气流而进行。11.如申请专利范围第9项之基板处理方法,其中如从前述感光性膜最初曝光的区域向最后曝光的区域前述被处理基板温度变高般地使前述热板具有温度分布而进行加热,进行使前述被处理基板似使感光性膜转印区域移动的方向对应而产生温度分布之方式加热的制程。图式简单说明:第一图为就基板加热装置主要是发热机构的结构例加以显示之图。第二图为就基板加热装置本体的结构例加以显示之图。第三图为就基板加热装置全体的结构例加以显示之图。第四图为就基板加热装置全体的结构例加以显示之图。第五图为就矽晶圆表面温度的时间变化加以显示之图。第六图为就基板加热装置主要是发热机构的结构例加以显示之图。第七图为就基板加热装置主要是发热机构的结构例加以显示之图。第八图为就基板加热装置主要是发热机构的结构例加以显示之图。第九图为就基板加热装置主要是发热机构的结构例加以显示之图。第十图为就矽晶圆表面的升温特性加以显示之图。第十一图为就用于发热机构的加热器线的结构例加以显示之图。第十二图为就被处理基板表面温度的面内分布加以显示之图。第十三图为就被处理基板表面温度的面内分布加以显示之图。第十四图(a)和(b)为就基板加热装置主要是发热机构的结构例加以显示之图。第十五图为显示第十四图的截面结构之图。 |
