| 主权项 |
1.一种半导体元件之制造方法,用以增加掺杂源之有效浓度,包括下列步骤:于一基底中植入一主掺杂源;以及于该基底中植入一辅助掺杂源,其中,该主掺杂源系具有高能隙、高原子质量、且低扩散系数之物种,该辅助掺杂源系具有低能隙、低原予质量之物种。2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造方法,其中主掺杂源包括铟。3.如申请专利范围第2项所述之半导体元件的制造方法,其中辅助掺杂源包括硼。4.如申请专利范围第3项所述之半导体元件的制造方法,其中该辅助掺杂源之剂量约为该主掺杂源之1/1000至1/10。5.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造方法,其中辅助掺杂源包括硼。6.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造方法,其中该辅助掺杂源之剂量约为该主掺杂源之1/1000至1/10。7.一种减少铟原子冻结效应的方法,系在将铟原子植入于一基底之前或之后,在基底中植入一辅助掺杂源,该掺杂源系具有低能隙、低原子质量之物种。8.如申请专利范围第7项所述之减少铟原子冻结效应的方法,其中辅助掺杂源包括硼。9.如申请专利范围第8项所述之减少铟原子冻结效应的方法,其中该辅助掺杂源之剂量约为该主掺杂源之1/1000至1/10。10.如申请专利范围第7项所述之减少铟原子冻结效应的方法,其中该辅助掺杂源之剂量约为该主掺杂源之1/1000至1/10。 |
