| 主权项 |
1.一种形成电极于一半导体基材上之方法,至少包含以下步骤:形成一电极定义层于该基材上;图案化该电极定义层以形成开口于其内;形成第一导体层填入于该开口之内、并形成于该电极定义层之上;去除位于该开口以外的该第一导体层;以及去除该电极定义层以留下第一电极。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之电极定义层系为氧化矽层及氮化矽层其中之一。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之电极定义层至少包含光阻层。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一导体层系为铂、氧化钌、氧化铱、铱及钌其中之一。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一导体层系以低于150℃及低温溅镀方法加以形成。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一导体层之去除系使用化学机械研磨。7.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之化学机械研磨系使用颗粒大小约为500至2000埃之间的研浆。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一导体层形成时其表面高度与该电极定义层表面之高度差约为2000至7000埃之间。9.如申请专利范围第8项之方法,更包含于上述之电极定义层去除后,进行以下步骤:形成介电层于该第一电极上;以及形成第二导体层于该介电层上。10.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之介电层系为介电系数高于200之介电材质。11.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之介电层系为钡锶钛化合物、铅锌钛化合物、及掺杂镧之铅锌钛化合物其中之一。12.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之第二导体层系为铂、氧化钌、氧化铱、铱及钌其中之一。13.一种形成电容于一半导体基材上之方法,至少包含以下步骤:形成一电极定义层于该基材上;图案化该电极定义层以形成开口于其内;形成第一导体层填入于该开口之内、并形成于该电极定义层之上;使用化学机械研磨方式去除位于该开口以外的该第一导体层;去除该电极定义层以留下第一电极;形成介电层于该第一电极上;以及形成第二导体层于该介电层上。14.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之电极定义层系为氧化矽层及氮化矽层其中之一。15.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之第一导体层系以低于150℃及低温溅镀方法加以形成。16.如申请专利范围第15项之方法,其中上述之电极定义层至少包含光阻层。17.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之第一导体层系为铂、氧化钌、氧化铱、铱及钌其中之一。18.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之化学机械研磨系使用颗粒大小约为500至2000埃之间的研浆。19.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之第一导体层形成时其表面高度与该电极定义层表面之高度差约为2000至7000埃之间。20.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之介电层系为介电系数高于200之介电材质。21.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之介电层系为钡锶钛化合物、铅锌钛化合物、及掺杂镧之铅锌钛化合物其中之一。22.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之第一导体层系为铂、氧化钌、氧化铱、铱及钌其中之一。图式简单说明:第一图显示本发明中形成并图案化基材上之电极定义层的截面示意图。第二图显示本发明中形成第一导体层填入于开口之内、并形成于电极定义层之上的截面示意图。第三图显示本发明中去除位于开口以外的第一导体层之截面示意图。第四图显示本发明中藉由化学机械研磨制程的控制,以产生研磨后第一导体层粗糙表面之截面示意图。第五图显示本发明形成介电层及第二导体层以完成电容制作的截面示图。 |
