| 主权项 |
1.一种以气体辅助射出成型技术制造一电子集成电路(IC)晶片承载盘之方法,包含下列步骤:(1)将一熔融塑料以对称位置射入一IC承载盘之模穴中;(2)预设复数段压力数値;(3)将一气体增压至其中之一该预设压力値,并控制某体积;(4)预测或分析出熔融塑料于该模穴中所形成之波前分布;(5)将该预设压力値之气体以对称位置,并参考该波前分布,而将其射入已充填塑料之模穴中,经一定时间而停止;(6)将该具预设压力値之气体排放至已预先调整之下一次压力値,再将该具有下一次压力値之气体与该模穴成为通路,经一定时间而停止,以进行保压;(7)排放该气体直至与大气压力相同而停止;(8)打开模具,以形成该IC晶片承载盘。2.根据申请专利范围第1项之制造电子集成(IC)电路承载盘之方法,其中该气体为氮气。3.根据申请专利范围第1项之制造电子集成(IC)电路承载盘之方法,其中该熔融塑料,末完全射入模穴中,即进行步骤(5)之气体射入动作。4.根据申请专利范围第1项之制造电子集成(IC)电路承载盘之方法,其中该熔融塑料,恰完全射入模穴中时,即进行步骤(5)之气体射入动作。5.根据申请专利范围第2项之制造电于集成(IC)电路承载盘之方法,其中该熔融塑料,在完全射入模穴后一段时间,再进行步骤(5)之气体射入动作。6.根据申请专利范围第5项之制造电子集成(IC)电路承载盘之方法,其中该熔融塑料,在完全射入模穴后0.5至3秒后,该气体即以100至200公斤/平方厘米之压力射入模穴中,经历25至45秒而停止;然后再将该气体排放至30至80公斤/平方厘米之下一次压力,以使模穴进行保压。7.根据申请专利范围第1项之制造电子集成(IC)电路承载盘之方法,其中该步骤(4)系以电脑辅助工程(CAE)作分析及预测,以决定气体射入模穴之适当时间及位置。8.根据申请专利范围第1项之制造电子集成(IC)电路承载盘之方法,其中步骤(6)可做所需之压力及次数重覆进行。9.一种以气体辅助射出成型技术制造之电子集成电路(IC)晶片承载盘,包含:一封闭之外框架,复数肋条,系相互间隔开且呈纵横交错地设于该封闭之外框架内,至少部分该复数肋条,沿其长度方向,设有封闭于其内之第一气道,复数容置区,系由该封闭之外框架与该互呈交错之肋条所界定,沿各该容置区之周缘下方,向内设有一支板,用以容置并支持IC晶片。10.根据申请专利范围第9项之IC晶片承载盘,其中至少部分该封闭之外框架,沿其长度方向,设有封闭于其内之第二气道。11.根据申请专利范围第9项之IC晶片承载盘,该封闭之外框架,系大致呈矩形。12.根据申请专利范围第11项之IC晶片承载盘,该复数肋条,包含复数纵向肋条及横向肋条,皆呈等距离相互间隔开,使其所界定之各该复数容置区,系大致呈矩形。13.根据申请专利范围第12项之IC晶片承载盘,各该复数容置区,具有大致与欲容置之IC晶片相同之尺寸,俾该IC晶片恰可容置于该容置区内。14.根据申请专利范围第13项之IC晶片承载盘,各该支板,系为自各该肋条下方区域,同该容置区内延伸且呈矩形轮廓之环形凸缘,各该环形凸缘则界定出一贯穿口。15.根据申请专利范围第10项之IC晶片承载盘,该封闭之外框架,具有至少3毫米之材料厚度。16.根据申请专利范围第14项之IC晶片承载盘,该外框架与各该肋条,大致呈等高,而各该环形凸缘与该肋条,形成一高度差,使得当IC晶片置入该容置区时,恰不会凸出于该外框架及肋条之上。17.根据申请专利范围第11项之IC晶片承载盘,另包含复数浇注口及气体射入口,相对于该IC承载盘呈对称地设于部分该纵向肋条,部分该横向肋条及/或该外框架上。图式简单说明:第一图系显示本发明最佳实施例之IC晶片承载盘之平面外观视图;及第二图系由第一图中之线2-2所取的剖面结构示意图。 |
