| 主权项 |
1.一种消除反窄通道效应的浅隔离凹槽隔离的制造方法,适用于半导体基板,且上述制造方法包括下列步骤:于上述半导体基板上形成遮蔽层,且上述遮蔽层形成有开口,以界定出上述隔离凹槽的范围;以上述遮蔽层为罩幕,经由上述开口而掺植杂质至上述半导体基板,以形成场掺植区;以上述遮蔽层为罩幕,经由上述开口而对上述半导体基板施行蚀刻,以形成隔离凹槽,同时上述场掺植区的剩余部份留于上述隔离凹槽的侧边;以及于上述隔离凹槽形成绝缘物。2.如申请专利范围第1项所述的消除反窄通道效应的浅隔离凹槽隔离的制造方法,其中上述杂质为硼离子。3.如申请专利范围第1项所述的消除反窄通道效应的浅隔离凹槽隔离的制造方法,其中上述杂质为铟。4.如申请专利范围第1.2或3项所述的消除反窄通道效应的浅隔离凹槽隔离的制造方法,其中上述隔离凹槽较上述场掺植区深,而使上述场掺植区的剩余部份留于上述隔离凹槽的侧边。5.如申请专利范围第4项所述的消除反窄通道效应的浅隔离凹槽隔离的制造方法,其中上述场掺植区的形成方法系于掺植上述杂质至上述半导体基板后,更包括驱入的步骤。6.如申请专利范围第5项所述的消除反窄通道效应的浅隔离凹槽隔离的制造方法,其中上述遮蔽层系由形成于上述半导体基板上的衬垫氧化物层及形成于上述衬垫氧化物层上的氮化物层所构成。7.如申请专利范围第6项所述的消除反窄通道效应的浅隔离凹槽隔离的制造方法,其中上述绝缘物为氧化物。8.如申请专利范围第7项所述的消除反窄通道效应的浅隔离凹槽隔离的制造方法,其中更包括去除上述遮蔽层的步骤。 |
