| 主权项 |
1.一种半导体装置,其系在半导体记忆装置的雷射熔线盒之互连配置中,该半导体记忆装置包括:一第一雷射熔线群,其包括许多的第一雷射熔线,每一熔线皆有一窄的第一端,较宽的第二相对端;及弯曲的中间部份,该许多的第一雷射熔线第一端的间距是窄的,第二端的间距是宽的,而该许多的第一雷射熔线彼此相邻;及一第二雷射熔线群,其包括许多的第二雷射熔线,每一熔线皆有一宽的第一端,较窄的第二相对端,及弯曲的中间部份,该许多的第二雷射熔线第一端的间距是宽的,第二端的间距是窄的,而该许多的第二雷射熔线彼此相邻,其中该第一雷射熔线群中雷射熔线第一端与该第二雷射熔线群中雷射熔线第一端相邻,该第一雷射熔线群中雷射熔线第二端与该第二雷射熔线群中雷射熔线第二端相邻,而该第一和第二电射熔线群最外面雷射熔线不是弯曲的,而是直的。2.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中雷射熔线是以多晶矽形成。3.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中雷射熔线是在平面上排列。4.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中该第一雷射熔线群中雷射熔线烧断部位是在该许多的第一雷射熔线之第二端。5.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中该第二雷射熔线群中雷射熔线烧断部位是在该许多的第二雷射熔线之第一端。6.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中该第一和第二雷射熔线群是交替重覆排列。7.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中该雷射熔线盒是一备用熔线盒以便备用记忆体胞取代损坏的记忆体胞。 |
