| 主权项 |
1.一种半导体装置的制造方法,其特征为包含:使在基板之被形成配线图案的面,与半导体元件之被形成电极的面之间,中介着黏着剂的第1工程,及在前述半导体元件与前述基板之间施加压力,使前述配线图案与前述电极电气导通,使前述黏着剂绕进前述半导体元件的侧面的至少一部份的第2工程。2.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中前述黏着剂,系以前述第2工程结束后较前述半导体元件与前述基板之间隔更大的厚度于前述第1工程被设置,于前述第2工程在前述半导体元件与前述基板之间被加压而从前述半导体元件溢出。3.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中以几乎覆盖前述半导体元件的侧面的方式形成前述黏着剂。4.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中于前述黏着剂被分散着有导电粒子,藉由前述导电粒子导电前述配线图案与前述电极。5.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中于前述第1工程前,预先将前述黏着剂设于前述半导体元件的被形成前述电极的前述面上。6.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中于前述第1工程前,预先将前述黏着剂设于前述基板的前述配线图案被形成的面上。7.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中前述黏着剂,含有遮光性材料。8.一种半导体装置,其特征为具有:具有电极的半导体元件,及被形成配线图案的基板,及黏着剂;前述电极与前述配线图案为电气导通,前述黏着剂,中介于前述基板的被形成前述配线图案的面,与前述半导体元件的被形成前述电极的面之间,而且.,覆盖前述半导体元件的侧面的至少一部份。9.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中以几乎覆盖前述半导体元件的侧面的方式形成前述黏着剂。10.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中于前述黏着剂被分散着有导电粒子构成向异性导电材料。11.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中前述向异性导电材料,被设置为覆盖前述配线图案全部。12.如申请专利范围第11项之半导体装置,其中前述着剂,含有遮光性材料。13.一种半导体装置,其特征为:系藉由申请专利范围第1项至第7项之任一项的方法所制造的。14.一种电路基板,其特征为:系被实装申请专利范围第8至第12项之任一项的半导体装置的电基板。15.一种电子机器,其特征为具有申请专利范围第14项所记载的电路基板。图式简单说明:第一图A-第一图D系相关于第1参考形态的半导体装置的制造方法之图。第二图A及B系显示第上参考形态的变形例。第三图A及B系显示相关于第2参考形态的半导体装置的制造方法。第四图A及B系显示相关于第3参考形态的半导体装置的制造方法。第五图A及B系显示相关于本实施形态的半导体装置的制造方法。第六图系相关于本实施形态的半导体装置被实装的电路基板。第七图系具备相关于本实施形态的半导体装置被实装的电路基板之电子机器。 |
